去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。在特斯拉 Model 3 车型中，SiC 得到量产应用，这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。目前，业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料，那么宽禁带半导体当前发展状况如何？国内外发展宽禁带半导体有哪些区别？未来发展面临着哪些挑战？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
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瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
2023 年 1 月 30 日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可
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安森美 大众汽车集团 电动汽车 碳化硅 SiC
意法半导体（ST）是一家拥有非常广泛产品组合的半导体公司，尤其汽车更是ST非常重视的市场之一。 意法半导体车用和离散组件产品部策略业务开发负责人Luca SARICA指出，2022年车用和离散组件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。ST在2021年的营收达到43.5亿美元，而若与2022年相比，车用产品部门与功率和离散组件部门的营收增幅都相当显著，达30%以上。车用和离散组件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支持汽车的所有应用。 图一 : ADG营运策略ADG
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汽车 ST 碳化硅
英飞凌科技与其碳化硅 (SiC) 供货商扩展合作关系，宣布与 Resonac (前身为昭和电工) 签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在 2021年的协议。新合约将深化双方在 SiC 材料的长期合作，根据合约内容，Resonac将供应英飞凌未来10年预估需求量中双位数份额的SiC半导体。 英飞凌工业电源控制事业部总裁 Peter WawerResonac将先供应6吋的SiC晶圆，并将于合约期间支持过渡至 8 吋晶圆，英飞凌亦将提供 Resonac 关于 SiC 材料技术的智财 (IP)。双
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英飞凌 Resonac 碳化硅
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格，那就必须抑制尖峰。MOS_DS电压尖峰产生的原因在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制
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Arrow 碳化硅 MOSFET
2023年1月4日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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安森美 EliteSiC 碳化硅
电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋
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国晶微半导体 SIC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
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罗姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 纯电动汽车逆变器
现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体，成本与转换效率比传统的硅半导体更高，更能提升续航。如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块，并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用，预计在动力、续航都能再升级。E-GMP 平台，原先已在后马达逆变器采用 Si
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SiC 碳化硅功率模块 起亚 EV6 意法半导体 ACEPACK DRIVE
安森美在过去的两年间通过成功的转型之旅，实现了业绩和利润的双丰收。在转型路上公司又有哪些关键技术和策略的调整呢？带着这些问题本刊记者采访了安森美CEO Hassane El-Khoury。两大技术支柱的创新支持和打造可持续发展的生态系统，这是驱动安森美投资的主要动力，也是企业职责所在。
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近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。IGBT行业的门槛非常高，除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。同时，总投资2.8亿元的功率模块二期项
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东风 碳化硅 功率模块 IGBT
IT之家 12 月 12 日消息，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。面向储能逆变器市场，国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装，半桥拓扑
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国星光电 碳化硅 NS62m MOSFET
2022年12月5日，英国伦敦、美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布为捷豹 TCS 车队近日重磅发布的捷豹 I-TYPE 6 赛车提供功率半导体技术和产品的全方位支持。全新I-TYPE 6赛车专为 2023 年度 ABB 国际汽联电动方程式世界锦标赛 Formula E（以下简称：Formula E）设计、研发打造，标志着 Formula E 赛事正式迈入第三代（Gen3）赛车新时代。
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纯电动 捷豹 I-TYPE 6 Wolfspeed 碳化硅
汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中，高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说，门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及，但事实是无论
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Infineon OBC SiC
碳化硅（sic）介绍
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