随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
关键字：
TI 功能安全 栅极驱动器 SiC 逆变器
碳化硅的发展与电动汽车的快速发展紧密相连，随着新能源汽车的加速渗透，以及自动驾驶技术的升级演变，车用芯片需求不断上升，第三代半导体碳化硅技术重要性愈发凸显。Wolfspeed、安森美、意法半导体作为碳化硅领域的头部企业，其动态是行业的重要风向标，近期三家企业均发表了对碳化硅行业的积极展望，反映车规级碳化硅产品的渗透率情况好于预期。Wolfspeed将建造全球最大碳化硅材料工厂近日，碳化硅厂商Wolfspeed公司表示，随着需求的激增，其将在北卡罗来纳州查塔姆县建造一座价值数十亿美元的新工厂，以生产为电动汽
关键字：
碳化硅 电源管理芯片
2022年9月20日，国内第三代半导体碳化硅头部企业——基本半导体完成C4轮融资，由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。这是基本半导体在今年完成的又一轮融资。6月和7月，该公司分别完成了C2和C3轮两轮融资。连续多轮资本的加持，充分印证了基本半导体在业务加速拓
关键字：
基本半导体 代半导体 碳化硅
半导体寒气袭人知谁暖？芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业，三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年；野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%；费城半导体指数 (SOX)近6个月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此时，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后，就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”，而
关键字：
碳化硅 氮化镓
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
关键字：
贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
关键字：
东芝 SiC MOSFET
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，昨天美国时间举行了剪彩仪式，庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链，从SiC粉末和石墨原料的采购，到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证，以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
关键字：
安森美 碳化硅工厂 SiC
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
关键字：
UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
关键字：
UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
关键字：
硅 碳化硅 氮化镓 功率半导体
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC 让设计人员能够减少元器件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC 元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少 CO2 排放量
的环保型产品和系统。罗姆在 SiC 功率元器件和模块的
开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的
应用中都实现了更佳的节能效果。水原德健, 罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理
关键字：
202207 碳化硅 电动汽车 罗姆
由于 SiC 具有更快的开关速度，因此对于某些拓扑结构，可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要，最终将取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前仅占全球总发电量的一小部分，因此 SiC 将有长远的发展路向。随着电动车采用率的增加，充电桩将大规模部署，另外，SiC 最终还将成为电动车主驱逆变器的首选材料，因为它可减少车辆的整体尺寸和重量，且能效更高，可延长电池使用寿命。安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人 吴桐 博士安森美 (onsemi) 在收购上游
关键字：
202207 安森美 SiC
受访人：水原德健 罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 目前，市场上基本按下图划分几种材料功率半导体器件的应用场景。当低频、高压的情况下适用硅基IGBT，如果稍稍高频但是电压不是很高，功率不是很高的情况下，使用硅基MOSFET。如果既是高频又是高压的情况下，适用碳化硅MOSFET。那么电压不需要很大，功率
关键字：
罗姆 电动汽车 碳化硅
受访人：安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人吴桐博士1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)具有较高的电子迁移率和较高的能带隙，用它们制成的晶体管具有比硅基晶体管更高的击穿电压和更耐受高温，可以突破硅基器件的应用极限，开关速度更快，导通电阻更低，损耗更小，能效更高。 GaN的开关频率比SiC高得多，而SiC的可靠
关键字：
安森美 SiC
受访人：Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理，负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计，并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI，大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？
关键字：
TI 第三代半导体 GaN SiC
碳化硅（sic）介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅（sic）!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅（sic）的理解，并与今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473