随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
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宽禁带 半导体 SiC GaN
2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET，带来了高性能和高功效。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何？碳化硅业的难点在哪里？为此，电子产品世界等媒体视频采访了英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌科技 电源与传感系统事业部大中华区 开关电源应用高级市场经理 陈清源据悉，此次英飞凌推出了8款650V CoolSiC™ MOSFET产品，采用2种插件TO-247封装，既可采用典型的TO-247 三引脚封装，也
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MOSEFT 碳化硅 SMD
王 莹 （《电子产品世界》编辑）近期，多家公司发布了碳化硅 （SiC）方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一，碳化硅 具备哪些优势，现在的发展程度 如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此机会，电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件，使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构，例如电流连续模 式
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202004 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET
近期，多家公司发布了碳化硅（SiC）方面的新产品。作为新兴的第三代半导体材料之一，碳化硅具备哪些优势，现在的发展程度如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌科技公司推出了650V的CoolSiC™ MOSFET，值此机会，电子产品世界访问了英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌,电源管理及多元化市场事业部,大中华区,开关电源应用,高级市场经理,陈清源碳化硅与氮化镓、硅材料的关系碳化硅MOSFET是一种新器件，它的出现使一些以前硅材料很难被应用的电源转换结构，例如电流连续
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SiC UPS
GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。根据该协议，GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增长市场和应用。
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GT Advanced Technologies 安森美 碳化硅
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能
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OBC SiC MOSFET
近日，推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏（V）和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。该可扩展
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SiC IPM
顾伟俊 （罗姆半导体（上海）有限公司 技术中心 现场应用工程师）摘 要：介绍了电机的应用趋势，以及MCU、功率器件的产品动向。 关键词：电机；BLDC；MCU；SiC；IPM1 电机的应用趋势 随着智能家居、工业自动化、物流自动化等概念的 普及深化，在与每个人息息相关的家电领域、车载领 域以及工业领域，各类电机在技术方面都出现了新的 需求。 在家电领域，电器的 智能化需要电器对人机交 流产生相应的反馈。例如 扫地机器人需要扫描计算 空间，规划路线，然后执 行移动以及相应
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202003 电机 BLDC MCU SiC IPM
电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车
近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
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SiC MOSFET
在本文中，我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的，包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率，以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下，纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%，同时，降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明，纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商（包括现有制
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SiC BEV 牵引逆变器
近日，罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“该SiC衬底长期供应协
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碳化硅 晶圆
近日，全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“ST”）宣布，双方就碳化硅（以下简称“SiC”）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH （以下简称“SiCrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由SiCrystal（SiC晶圆生产量欧洲第一）向ST（面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商）供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官（CEO） Jean-Marc Chery 说：
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SiC 车载
半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示，明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰，但从客户端库存改善、拉货动能加温，以及应用扩大等来看，硅晶圆产业已在本季落底，明年上半年整体景气动能升温速度优于预期，她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增，往后将会逐季成长。
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环球晶圆 硅晶圆 碳化硅
碳化硅（sic）介绍
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