英飞凌在近日表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率模块，而逆变器用于电动汽车的主驱动。根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林的工厂生产。IGBT依然紧缺根据供应链消息显示，目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是维持在52周。作为行业龙头的英飞凌，其去年IGBT订单已处于超负荷接单状态，整体积压订单金额超过
关键字：
英飞凌 赛米控 电动汽车芯片 SiC IGBT
全球车用SiC功率组件市场，目前主要由IDM大厂独霸，根据统计，全球SiC产能由Wolfspeed、罗姆、贰陆三家公司寡占。其中，罗姆计划在2025年，将SiC功率半导体的营收扩大至1,000亿日圆以上，成为全球市占龙头。为了达成目标，该公司积极扩充SiC功率半导体的产能，并宣布买下日本一家太阳能系统厂的旧工厂，未来将引进SiC功率半导体8吋晶圆产线到工厂内，预计在2024年底启动，将使罗姆的SiC功率半导体产能，到2030年增加为2021年的35倍。根据日本朝日新闻、日经新闻等报导，罗姆将从日本的石油公
关键字：
罗姆 SiC
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片，对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作，还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。图一是SSDC模块的剖面示意图，图二是整个SSDC模块的结构图，从图一和图二我们可以发现这个用在主驱的功率模块还是比较复杂的，里面包含了许
关键字：
SiC Traction模块 安森美 202311
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再生能源。可再生能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再生能源系统中的优
关键字：
TI 碳化硅
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP517
关键字：
安森美 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器
碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。大幅降低储能系统成本与提升效率的SiC技术当前的SiC技术已经相当成熟，可以适用在从千瓦到兆瓦功率的工业应用范围中，影响了能源、工业和汽车等众多领域。由于SiC器件运作时的温度较低，及较小的
关键字：
艾睿电子 碳化硅
近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶盛机电已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产；天科合达计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产，同时该公司在5月与半导体大厂英飞凌签订碳化硅长期供应协议。近期，科友半导体传来了新消息。6月22日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度
关键字：
8英寸 SiC 科友半导体
最近，碳化硅 (SiC) 及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注，但同时也引发了一些误解。本文旨在澄清这些误解，让工程师们在未来放心地使用 SiC器件。应用围绕SiC 产生的一些疑虑与其应用范围相关。例如，一些设计人员认为SiC MOSFET 应该用来替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品应该是氮化镓 (GaN) 器件。然而，额定电压为650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品质因数很有竞争力，反向恢复电荷也非常小。因此，在图腾柱功率因数校正 (TPPFC) 或同
关键字：
202306 SiC
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。 之所以能达成此次合作，是因为双方已于2020年建立了“电动汽车电力电子技术开发合作伙伴关系”，并基于合作伙伴关系进行了密切的技术合作，开展了适用于电动汽车的SiC功率元器件和采用SiC芯
关键字：
罗姆 纬湃 SiC
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体
关键字：
SiC 肖特基二极管
如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步，但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物
关键字：
SiC
· 意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂，进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产· 该合资厂将有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对意法半导体 SiC器件日益增长的需求· 三安光电还将单独建造一个8英寸 SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求 2023年6月7日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：ST
关键字：
意法半导体 三安光电 碳化硅
2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块，成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明，在相同功率等级下，SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块，并且开关损耗降低了 75％。换算下来，采用 SiC 模块替代 IGBT 模块，其系统效率可以提高 5％左右。一场特斯拉的大风，引燃了 SiC。然而，就在刚刚过去的 3 月份，特斯拉却突然宣布，下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%，因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
关键字：
SiC
“现在的新车，只要能用碳化硅的地方，便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体（ST）曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下，在全球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日，科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周
关键字：
第三代半导体 SiC GaN
碳化硅（sic）介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅（sic）!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅（sic）的理解，并与今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473