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EEPW首页 >> 主题列表 >> 晶圆

半导体设备业迎来春天

  •   最近一段时间,半导体设备供应商又开始忙碌起来,因为久违了的订单又开始纷至沓来。   SUSS MicroTec公司2010年3月2日宣布,已从安靠公司获得多种300毫米光刻设备的后续订单。本次设备采购订单包括MA300 Gen2光刻机以及ACS300 Gen2晶圆片工艺生产机组。这些设备将用于晶圆片级封装、焊料凸点光刻和三维一体化技术。在韩国光州安靠K4及台湾新竹安靠 T1工厂的设备安装预计将于2010年第三季度完成。   1月27日,先进MEMS、功率IC和光器件制造方案供应商Tegal Cor
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传茂德将与旺宏签署12英寸晶圆厂转让协议

  •   据业内人士透露,台湾内存厂商茂德已经决定要将其设在台湾新竹科技园区内的12英寸晶圆厂转让给旺宏公司,旺宏(Macronix)公司是一家专门制作ROM和NOR闪存的芯 片厂商。据悉转让的价格在2.18-2.81亿美元左右,预计两家厂商很快会正式宣布这起交易。不过茂德的发言人曾邦助拒绝就此消息进行评价,只称茂德会在合适的时候将有关的消息公布出来。   茂德过去一直在为自己设在新竹科技园区的芯片厂寻找买家,据称此举曾引起旺宏和联电的兴趣。消息来源并指茂德原计划在农历新年到来之前完成交易,不过由于买卖双方在
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台积电与MAPPER公司共同开发计划立下新里程碑

  •   TSMC与荷兰商MAPPER公司于19日共同宣布,MAPPER公司安装在TSMC晶圆十二厂超大晶圆厂的原型机台正不断地重复写出超微小电路元件,系先前使用浸润式微影技术所无法达到的成果。   过去几个月来,TSMC扩充了无光罩微影技术的研究团队,并与MAPPER公司的工程师们一同在晶圆十二厂里合力将电子束直写能力整合至工艺中,以供未来更先进的技术世代使用。   TSMC研究发展资深副总经理蒋尚义博士表示:「TSMC在工艺上一直不断寻求最具成本效益的做法,而使用MAPPER公司机台所得到的成果,不仅符
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台积电今年一月营收291亿5600万元新台币

  •   TSMC今(10)日公布2010年一月营收报告,就非合并财务报表方面,营收约为新台币291亿5,600万元,较2009年十二月减少了4.3%,较2009年同期则增加了134.4%。   就合并财务报表方面,2010年一月营收约为新台币301亿3,600万元,较2009年十二月减少了4.5%,较2009年同期则增加了129.6%。
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三星:12寸厂到2015年将不符经济效益

  •   三星电子(Samsung Electronics)高层近期表示,2010年全球半导体市场成长最快的是亚洲地区,消化全球70%芯片产出,未来包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技术,皆有助于提升效率并降低成本,都是存储器技术的明日之星,而现在位居主流地位的12寸晶圆厂,预计到2015年将不符合经济效益,届时将迎接18寸晶圆厂时代来临。   三星电子资深副总裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前参加首尔SEMICON国际半导体展时指出,在全球半导体市场中,亚洲地
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台积电董事会拟定每普通股配发3元现金股息

  •   TSMC 9日召开董事会,会中拟定今年每普通股配发现金股息3元,并将提请6月15日上午举行之股东常会议决。   TSMC发言人何丽梅副总经理表示,董事会之重要决议如下:   一、 核准2009年营业报告书及财务报表,其中全年合并营收净额约为新台币2,957亿4,000万元,税后纯益约为新台币892亿2,000万元,每股盈余为新台币3.44元。   二、核准每普通股配发现金股息3元,将呈送股东会承认。同时也核准员工现金奖金与现金红利总计约新台币133亿8,000万元,其中员工现金奖金约新台币66亿
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中芯国际Q4净亏损4.8亿美元 任命CFO等3名高管

  •   中芯国际今日发布的财报显示,中芯国际2009年第四季度度销售额为3.23亿美元,环比增长3.0%,同比增长22.2%;2009年第四季度的毛利率由2009年第三季的0.8%提高至10.6%;净亏损4.823亿美元,合每股亏损1.0779美元;2009年第四季度大中国区的晶圆收入占总收入的38.1%。   财务细节   2009年第四季度的总销售额由2009年第三季的323,400,000美元上升3.0%至333,100,000美元,与2008年第四季度相比上升22.2%。   2009年第四季度
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Intel大连晶圆厂今年10月投产

  •   Intel公司宣布,位于我国大连市的“Fab 68”晶圆厂将于今年10月份正式投入生产。   Fab 68工厂将使用65nm工艺制造芯片组产品,这也是Intel能在中国使用的最先进的半导体工艺,但是Intel暂时没有在中国制造处理器的计划。   该工厂总经理柯必杰表示:“芯片组分为两类,一类用在处理器中,一类是用于支持鼠标等电脑设备的中间件。今明两年,65nm工艺的芯片组仍然是中间件的主流产品,需求量很大。”   Intel大连芯片厂于2008年年
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美纽约州匿名团体反对州政府资助450mm项目

  •   日前,一个匿名群体就美国纽约州对CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圆研发中心进行资助表示反对。这个群体告诉纽约州的政客们州政府对450mm研发项目的任何资助不会对州内的任何公司产生好处,是浪费纳税人的钱。   该群体称关于资助450mm研发的一项议案正在准备中,资助金额达到数千万美元。该群体称这些钱大部分会花在设备上,而设备供应商都是纽约州以外的公司,对州内就业没有任何好处。   这个群体还表示,目前公开表示将转向450mm的公司有三家,英特尔、三星和台积电。但它们没
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晶圆双雄产能计划增长 恐致产能过剩

  •   最近台湾两家主要的半导体代工商台积电和联电公司均宣布今年将进一步拓展其12英寸晶圆的产能,两家厂商并宣布将提升今年的资本投资金额。不过有业者则认 为这两家公司的产能拓展计划恐将造成今年12英寸晶圆产品的产能过剩。   联电公司CEO孙世伟表示对公司今年的业务前景较为乐观,他并预计今年半导体产业将实现13-15%的增长,而芯片制造厂商的增长幅度则有望达到25-28%左右。   针对业内关于12英寸晶圆产能过剩的担忧,孙世伟表示联电公司此前已经对有关的市场状况进行过较为全面的评析,评析的结果显示联电公
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英特尔大连厂十月投产 65纳米工艺生产芯片组

  •   英特尔近日宣布,其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。   2007年3月,英特尔宣布投资25亿美元在大连建立一个生产300毫米的晶圆厂。   当时,英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁表示,“英特尔大连厂是英特尔15年来第一次在全新的地点兴建晶圆厂。在根植中国的22年中,英特尔在封装测试和研发等领域在中国的投资已经累计超过13亿美元。此次新投资将使我们在中国的投资总额达到了40亿美元,从而使英特尔称为中国投资额最大的跨国
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再度出手 三星拟再新增CMOS 8寸厂

  •   三星电子(Samsung Electronics)再度出手,继2009年下半首度大幅扩充产能外,2010年将首度启动扩充产能机制,预计将再新增1座8寸晶圆厂,全数用于投产CMOS影像传感器。   据了解,三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸厂用于投产CMOS影像传感器,2座8寸晶圆厂月产能共4万~4.5万片,12寸厂月产能2万~2.5 万片,2009年下半为满足客户庞大需求,已先行在2座8寸晶圆厂内每月再新增1.2万~2万片产能,不过即便如此,似乎仍无法满足客户需求。   据了解,新的8寸晶
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台积电不吞并中芯背后:败战换中国半导体江山

  •   台积电与中芯的专利纠纷自2003年始,其间共有两次裁定,中芯都输了。站在国人立场虽有点不服,似乎被欺负,但也觉得要尊重知识产权是共同的商业法则,中国做半导体要光明磊落,任何“捷径”是不可取的。从中也反映一个当前中国社会的价值规律,应当如何来获取价值。半导体是高科技,其中工艺的研发费用甚高,因此对于中国无非有两条路可走,一是自行研发,下决心攻克,这样是长久生存之计。二是购买技术授权,显然最先进技术别人不会买给您,由此增加费用,减少竞争实力。不过在自行研发未取得成功之前,这是一条过
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GlobalFoundries来势汹汹 各晶圆厂展开市占率保卫战

  •   全球晶圆(Global Foundries)喊出以全球市场占有率3成为目标!各家晶圆厂纷纷展开市占率保卫战,仅管联电也表示将以冲市占率为目标,不过执行长孙世伟还是不忘股东权益报酬率,他说必须在两者间求取适切平衡。联电也认真考虑「30、20、10」分别代表毛利率30%、营业净利20%、股东权益报酬率10%为努力目标。   对于全球晶圆来势汹汹,继购并新加坡特许(Chartered)之后,市占率很可能已经接近10%,日前又喊出以全球市占率30%的目标,外界推测,若加上联电约15~20%市占率便可达此目标
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分析师:丢了晶圆厂就丢了成功的支柱

  •   众家无晶圆厂IC供货商、以及那些追求“轻晶圆厂(fab-lite)”策略的半导体业者们可能要大吃一惊了——一位资深分析师指出,这些公司中有部分可能会表现不佳或是被市场淘汰,而不是如所想象的前景繁荣,主因就是他们失去了对芯片制造的掌控权。   这位市场研究机构Future Horizons的首席分析师Malcolm Penn甚至认为,轻晶圆厂经营模式在架构上是骗人的、在营运上是有毛病的,其财务也有缺陷。”   轻晶圆厂是又一种“
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晶圆 介绍

晶圆  晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解,再于融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅 [ 查看详细 ]

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