- SEMI World Fab Forecast预测，2010年全球晶圆厂支出将达到240亿美元。其中很大一部分(约140亿美元)将来自6家已制定激进投资计划的公司。
这六家公司分别是：TSMC, GlobalFoundries, Toshiba, Samsung, Intel和Inotera。2010年这六家公司的晶圆厂资本支出将超过全球总额的一半。2010年资本支出增长率预计为64%，看起来挺高，但2009年是历史低点。
SEMI资深分析师Christian Dieseldorff指出：
- 关键字：
GlobalFoundries 晶圆
- 韩国三星电子计画于今年10月底前停止使用8寸晶圆生产DRAM，将DRAM的生产全数转为使用12寸晶圆，以藉由使用产能效率较高的大尺寸晶圆来提高DRAM的成本竞争力。
报导指出，三星电子计画于10月底前停止在美国德州奥斯丁(Austin)半导体工厂内生产使用8寸晶圆的DRAM，加上三星电子已于今年初停止京畿道华城工厂的8寸晶圆DRAM生产，故待奥斯丁工厂停止生产后，三星电子的DRAM生产将全数转为使用12寸晶圆。
彭博社曾于日前转述韩国网路媒体“E-Daily”报导指
- 关键字：
三星 DRAM 晶圆 NAND
- 日、韩面板大厂将至中国设面板8代厂，面板双虎友达与奇美也急着西进设厂，不过，德意志证券最新出炉的报告则认为，国际面板大厂一窝蜂地赴大陆设厂，恐怕将会重蹈晶圆厂过度投资的覆辙，对友达和奇美维持卖出评等，目标价分别为33.75元新台币和16.35元新台币。
根据德意志证券科技产业分析师Matt Cleary指出，中国需要更多法规来管理面板扩厂问题，以免产能过剩，面板投资者未顾虑时机，纷纷抢进大陆，拖累2010年的经济复苏。
不过，德意志证券也认为，由于Samsung、Sharp在中国大陆设置晶
- 关键字：
奇美 晶圆 面板 LCD
- 为了加强欧洲半导体行业的竞争力，欧洲35家机构携手开展了联合研究项目“IMPROVE”(“采用制造科学解决方案提高设备生产率和晶圆厂业绩”)。该项目从2009年持续到2011年年底，目的是提高半导体制造业的生产效率，同时降低成本，缩短加工时间。欧洲“IMPROVE”联合研究项目的参与者包括软件企业、在欧洲拥有生产基地的半导体公司、芯片晶圆设备供应商以及来自奥地利、法国、德国、爱尔兰、意大利和葡萄牙的学术机构。英飞凌科技股份公司作为
- 关键字：
英飞凌 半导体制造 晶圆
- 非挥发性内存大厂恒忆(Numonyx)总裁暨执行长Brian Harrison表示，基于财务风险考虑，近期之内，公司并不打算自己投入发展12吋晶圆厂，而会持续与尔必达(Elpida)、海力士(Hynix)等大厂进行策略联盟合作，后段组装、封测等部份则会将约40%的需求外包。
过去飞索(Spansion)因投入过多资源在发展12吋制程，因必须承担庞大的固定资本支出，在大环境景气急速反转下，财务状况出现严重问题，也成为公司必须声请破产的主要因素之一，近期公司对外也明显表态将淡出12吋制程。
反
- 关键字：
Numonyx 晶圆
- SUSS MicroTec是半导体业界创新工艺和测试方案提供商。SUSS MicroTec向日本发运了一台LithoPack300光刻一体机，用于三维集成技术开发，并已成功安装。该一体机拥有涂胶、烘烤、曝光、显影模块，可用于最大直径为300毫米的晶圆片。对于难度较高的TSV硅通孔生产和三维集成的背面RDL再布线层，该一体机是一个高性价比的解决方案，再加上永久和临时晶圆片键合，SUSS MicroTec可以提供一整套的工艺和技术方案，用于三维集成。SUSS MicroTec近期参与了一系列三维集成工艺的
- 关键字：
SUSS 晶圆 测试 光刻一体机
- 继台积电成立新事业组织(NBDO)之后，联电24日董事会决议，成立新事业发展中心(NBDC)，更以新台币15亿元成立联电100%持股的「联电新投资事业公司」投入节能事业如太阳能、LED领域投资。由于额度与台积电日前公布的16.5亿元相当，加上两家组织名称、投资标的都极为相近，显示台积电、联电在节能投资领域的投资竞逐战已然展开。
联电表示，24日董事会通过成立新事业发展中心，将由资深副总陈文洋当责，此新事业中心也将成立由联电100%持股的转投资「联电新投资事业公司」，初期预定资本额约15亿元，新公
- 关键字：
联电 薄膜太阳能 LED 晶圆
- 机遇与挑战：
2000~2008年间，我国半导体产业飞速发展，基础相对雄厚
国际金融危机的硝烟仍未消散，半导体行业仍在困境中挣扎
我国的半导体产业在国际上已经占有重要地位
中国半导体区域、竞争格局与国际趋势相吻合，发展趋势良好
我国半导体受经济危机的影响要低于国际半导体产业
市场数据：
中国在世界半导体发展中一直有重要地位，对世界半导体行业的增长率贡献超过70%
商业比重成分集成电路设计占18.9%芯片占31.5%封装测试业占仍然偏大，占49.6%
- 关键字：
集成电路 封装 晶圆
- 据媒体报道，台积电日前召开董事会，决定投资11亿1680万美元，以扩充12英寸晶圆厂的45纳米制程产能，与设置32纳米制程产能;至于市场关注的太阳能投资，台积电并未宣布投资对象，但将先投入0.5亿美元在太阳能相关产业。
据台湾媒体报道，台积电发言人何丽梅表示，董事会决议通过人事变动，任命杜隆钦担任人力资源组织副总经理;调任张秉衡担任资材暨风险管理组织副总经理。
其次，资本支出部分，台积电董事会核准资本预算11.168亿美元，以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能与设置32奈米制程产能。同时
- 关键字：
台积电 晶圆 32纳米
- 徐州中能硅业母公司─协鑫光伏，首席执行官江游指出，因太阳能电池需求加温，近来上游的多晶硅已有供给告急压力，加上国内开始限制海外晶圆的进口，而2010年招标的项目目前也已达到2GW(20亿瓦)，因此估计太阳能电池缺料的问题将会延续下去，而多晶硅的价格年底前也都能持稳。
太阳能电池产业在全球性金融危机爆发后需求下跌，直到今年第三季，进入产业旺季后，欧洲、美国需求转强，加上国内加码对太阳能电池产业的扶持，继推出太阳能屋顶补贴计划、规划在敦煌、内蒙和新疆等偏远地区盖太阳能发电厂后，更于7月公布关于实施金
- 关键字：
太阳能电池 晶圆 多晶硅
- Intel日本分公司在筑波市举行了一次技术会议，内容颇为丰富，涉及半导体技术现状与未来、Nehalem微架构、ATM主动管理技术、Anti-Thefe防盗技术、My WiFi无线技术等等。
其中有关半导体制造工艺的展望引起了我们的特别关注。近十几年来，Intel以每两年升级一次的速度从0.25微米(um)一路走到了45纳米(nm)，中间历经了0.18微米、0.13微米、90纳米、65nm等四个世代，并带来了多种技术革新，比如晶圆尺寸从200毫米到300毫米、内部互联材料从铝到铜、通道从硅到应变硅
- 关键字：
Intel 4纳米 晶圆 32纳米
- 晶圆双雄太阳能竞赛日益白热化，继台积电董事会通过设置5,000 万美元专款发展节能事业后，联电抢先一步规划进军大陆，旗下薄膜太阳能电池厂联相光电日前前往山东考察，评估在当地设厂事宜。
业界认为，在台积电尚未明确出手投资太阳能标的或兴建产能下，联电集团在太阳能领域企图心强烈，考虑大陆太阳能内需市场庞大，若能透过联相插旗大陆，将可享地利之便，趁机抢食大陆太阳能的商机，并拉大与台积电之间的距离。
联电在太阳能事业布局领先台积电，早在2005年11月便成立联相(原名晶能)，作为进军太阳能的试金石。
- 关键字：
联电 晶圆 薄膜太阳能电池
- 基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并拥有先进的速度和加速控制，确保强健地处理当今易损的晶圆产品。
Galaxy薄晶圆系统的杰出工艺能力核心是专业设计的晶圆托盘，提供输送和加工75微米薄晶圆时正确固定晶圆所需的支撑和稳定性。约400毫米见方的得可晶圆托盘，平整度小于10微米，且能容纳300毫米大的晶圆。仔细的选择和多孔材料的使用确保薄晶圆的安全
- 关键字：
Galaxy 晶圆 托盘
- 8月12日消息，台积电周二召开董事会，决定投资11亿1680万美元，以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能，与设置32奈米制程产能;至于市场关注的太阳能投资，台积电并未宣布投资对象，但将先投入0.5亿美元在太阳能相关产业。
据台湾媒体报道，台积电发言人何丽梅表示，董事会决议通过人事变动，任命杜隆钦担任人力资源组织副总经理;调任张秉衡担任资材暨风险管理组织副总经理。
其次，资本支出部分，台积电董事会核准资本预算11.168亿美元，以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能与设置32奈米制程产能。
- 关键字：
晶圆 32纳米 太阳能
- 上个月，GlobalFoundries纽约州晶圆厂Fab 2正式破土动工，相隔几周后，GlobalFoundries宣布，他们将尽快着手Fab 3计划。
随着纽约州晶圆厂的破土动工，GlobalFoundries的信心也更加充足，GlobalFoundries主席Hector Ruiz表示：“GlobalFoundries的目标是成为半导体制造行业的领军者，我们也将尽快着手Fab 3工厂计划。”
虽然现在还不清楚Fab 3的具体规划，也不知道它的开工时间，但是既然G
- 关键字：
GlobalFoundries 晶圆 显卡
晶圆 介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
