一位中国半导体行业高管预测，在封装应用和技术方面的优势支持下，中国将在未来三到五年内迎来“爆炸性增长”，为国家克服美国技术限制开辟道路。据中国国家电视台报道，中国半导体行业协会（CSIA）会长、中国最大的存储芯片制造商长江存储技术有限公司（YMTC）负责人陈南翔表示，国家正在探索一种新的市场导向型行业模式，放弃依赖大学和研究机构的旧模式。陈南翔在接受中国中央电视台英语频道CGTN采访时表示：“[今天的重点]是产业、产品、服务和商业模式的创新，这些最终必须带来价值。” 他在接受CGTN采访时说，“中国的芯片
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美国半导体制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技术平台，用于电动汽车和其他应用。与前几代相比，该平台可减少30%的导通损耗和高达50%的关断损耗。据Onsemi称，所谓的EliteSiC M3e MOSFETs还提供了业界最低的特定导通电阻，并具有短路能力，这对牵引逆变器市场至关重要。在电动汽车中，逆变器将电池的直流电转换为电动机所需的交流电。转换损耗和冷却需求越低，车辆在相同电池容量下的续航里程就越大。具体示例：封装在Onsemi的功率模块中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技术提供了
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欧盟与韩国签署协议，合作开发半导体技术。这一合作将作为欧盟和韩国数字伙伴关系的成果，共同资助四个半导体项目。根据欧盟和韩国数字伙伴关系的安排，这些项目将共同筹集1200万欧元资金。其中一半来自欧盟的“Horizon Europe”计划下的芯片联合企业，另一半来自韩国国家研究基金会（NRF）。所选项目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX这些项目将持续三年，旨在推进异构集成技术（将多个组件集成到一个半导体中）以及优化仿生神经技术（模仿人脑功能）。加强欧盟与韩国的合作将结合欧洲和韩国研究与创
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中国科学家们研发出一种超薄半导体材料，这一进展可能会带来更快、更节能的微芯片。由北京大学的刘开辉、人民大学的刘灿和中国科学院物理研究所的张光宇领导的团队，开发了一种制造方法，可以生产厚度仅为0.7纳米的半导体材料。研究人员的发现于7月5日发表在同行评议期刊《科学》上，解决了减少传统硅基芯片尺寸的关键障碍——随着设备的缩小，硅芯片遇到了影响其性能的物理极限。这些科学家探讨了二维（2D）过渡金属二硫化物（TMDs）作为硅的替代品，其厚度仅为0.7纳米，而传统硅芯片的厚度通常为5-10纳米。TMDs还消耗更少的
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美国政府正在考虑对中国获取先进芯片制造工具的限制措施，这些措施甚至被一些美国盟友称为“严厉”。主要提案包括应用外国直接产品（FDP）规则，施压盟友限制在中国的设备服务和维修，以及扩大需要许可证的未核实清单的范围。这些措施旨在阻碍中国半导体产业的进步。一个关键提案是应用FDP规则，这将允许美国对包含任何美国技术的外国生产的物品施加控制。根据彭博社的报道，这将特别影响像东京电子和阿斯麦（ASML）这样的公司，限制它们向中国提供先进的晶圆制造设备（WFE）。这一措施被美国盟友视为“严厉”，但反映了美国政府限制中
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五角大楼的高级研究项目局（DARPA）拨款8.4亿美元，用于开发美国军方的下一代半导体微系统。这笔资金的受益者是德州电子研究所（TIE），该机构成立于2021年，位于德克萨斯大学奥斯汀分校，并作为一个由德州州政府和地方政府、芯片公司和学术机构组成的联盟运营。TIE的研究重点是异构集成技术，通常称为芯片组——将单独的硅片封装在一起形成完整的芯片。AMD等公司的处理器就广泛使用这种方法：现代的AMD Ryzen或Epyc处理器包括多个硅片，每个硅片包含CPU核心和IO电路。由于TIE在这一领域的半导体研发经验
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通过香港向俄罗斯运输的高优先级物品（CHPL）减少了28%（2024年1月至5月）——美国商务部提供给路透社的数据
2023年通过香港/中国运输的Nvidia产品达1760万美元——C4ADS数据
香港是全球规避制裁的“领先”中心——新CFHK报告
高端芯片通过香港从Nvidia和Vectrawave运出
香港政府表示不会执行单边美国制裁
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在飞速迭代的电子科技版图中，微控制器作为电子设备的中枢神经系统，其卓越的性能与坚不可摧的安全性构成了支撑整个系统高效运行与数据严密防护的基石。近年来，物联网技术的井喷式发展，对MCU的性能标准提出了更为严苛的要求，尤其是在工业应用的前沿阵地，安全、效能卓越且设计灵活的MCU已成为市场竞相追逐的焦点。鉴于此，ST凭借深厚的技术积累，重磅推出了STM32H5系列新一代高性能MCU，该系列专为加速安全导向的工业应用设计而生，旨在为开发者开辟前所未有的设计创新空间，并构筑起坚不可摧的安全防线。STM32H5系列不
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意法半导体 ST MCU STM32H5
7月22日消息，据国内媒体报道称，中国半导体行业协会理事长陈南翔近日接受采访时表示，中国集成电路产业仍在路上，未来一定孕育巨大成功模式。“在40年前，我不曾想过中国半导体产业能有如今的发展规模，但是在过去的20年我们可以清楚的看到，未来中国一定会有今天这样的发展。”陈南翔称，不过，当下还不是中国半导体产业最好的发展状态，中国最好的状态正在路上。陈南翔指出，当前看到的三星正在做的三纳米和英特尔正在做的三纳米都是不一样的，有着各自的定义。“以前摩尔定律有效的时候，在每一个节点上，大家都知道三年后如何发展、六年
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封装 半导体
受到美国即将出台的限制华投资法案影响，许多早已在中国高科技领域投资的美国投资公司将面临退出或分拆的命运，而此项新法规将可能使美国资本失去参与未来半导体、量子计算机或人工智能（AI）等高科技发展的机会。据《芯智讯》报导，今年6月底美国财政部发布了「关于实施对外投资行政命令的拟议规则」（NPRM），限制美国人在中国半导体和微电子、量子信息技术、人工智能系统等领域的投资。该拟议规则目前正在征求意见，预计最终法规将在2024年底前出台。法令出台后，一些仍在中国高科技产业投资的美国企业可能要被迫剥离他们在中国高科技
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致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。图示1—大联大友尚基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案的展示板图近年来，快充行业不断经历创新升级，每一次技术的跃进都为充电的效率与安全性带来革命性变革。特别是USB PD3.1快充标准的引入，更是为该行业的发展树立了新的里程碑。该标准不仅将最大充电功率提升至240W，同时新增多组固定和可调输出电压档位，可为各种电子设备提供更加灵活
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友尚集团 ST 140W USB PD3.1 快充方案
华盛顿，7月17日——美国商务部周三表示，计划向台湾环球晶圆（6488.TWO）提供高达4亿美元的政府补助金，以显著增加硅晶圆的生产。
商务部表示，德克萨斯州和密苏里州的项目资金将建立美国首个用于先进半导体的300毫米晶圆生产，并扩大绝缘体上硅（SOI）晶圆的生产。
这些晶圆是先进半导体的重要组成部分，是拜登政府推动芯片供应链努力的一部分。
计划中的补贴将支持环球晶圆在两州计划的40亿美元投资，以建设新的晶圆制造设施，并创造1700个建筑工作岗位和880个制造工作岗位。
商务部长吉娜·雷蒙多表示：
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美国贸易与发展署与肯尼亚的合作关系标志着将非洲融入全球半导体供应链的重大举措，这表明该大陆在这一高科技产业中的崛起。
肯尼亚、尼日利亚、卢旺达和加纳等非洲国家提供了丰富的半导体生产所需的关键矿物，以及年轻、精通技术的人口，准备推动创新和技术进步。
投资非洲的半导体产业不仅可以降低供应链风险和成本，还可以促进可持续的经济发展、创造就业机会和技术进步，惠及非洲经济及其西方合作伙伴。
美国贸易与发展署与肯尼亚合作提升东非国家半导体制造业的最近公告，是将非洲大陆纳入全球半导体供应链的重要一步。这一发展标志着
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据报道，美国政府正在考虑对中国获取先进芯片制造工具实施更严厉的限制措施，甚至有一些美国盟友称这些措施为“严厉”。主要提议包括应用外国直接产品（FDP）规则，施压盟友限制在中国的设备服务和维修，以及扩大需要许可证的未验证名单的范围。这些措施旨在阻碍中国半导体产业的进步。其中一个关键提议是应用FDP规则，这将允许美国对包含任何美国技术的外国生产项目进行控制。根据彭博社的报道，这将特别影响东京电子和阿斯麦等公司，限制它们向中国提供先进的晶圆制造设备（WFE）。尽管这一措施被美国盟友视为“严厉”，但它反映了政府限
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意法半导体推出了一套即插即用的图像传感器应用开发硬件、评估用摄像头模块和软件，该生态系统有助于简化基于ST BrightSense全局快门图像传感器的应用开发，让开发者能够采用ST BrightSense 图像传感器 设计大规模工业和消费产品，确保产品具有出色的拍摄性能。与传统卷帘快门图像传感器不同的是，全局快门图像传感器能够同时曝光所有像素，拍摄快速移动的物体，图像不会失真变形，当配备补光系统时，可明显降低功耗。ST BrightSense CMOS 全局快门传感器采用先进的背照式像素技术，在意法半导体
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