首页 > 新闻中心 > 网络与存储 > 数字存储
三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了......
三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。 最......
闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作，这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的......
三星电子今天宣布，已经开始在全球范围内首家采用30nm级工艺(30-39nm)批量生产2Gb DDR3内存颗粒。三星称，这种新工艺DDR3内存颗粒在云计算和虚拟化等服务器应用中电压1.35V，频率最高可达1866MH......
近期韩系DRAM大厂──三星、海力士先后宣布上调2010年资本支出，手笔之大令人惊愕。三星将对芯片业务支出20万亿韩元(约合177亿美元)，该数字是此前支出计划的两倍多;海力士也将资本支出提高了三分之一，达到3.05......
全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(Immersion Scanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时;存储器......
据韩国ET NEWS报导，过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格，可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌，但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少，但对台湾企业打击可能更大。 ......
据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。 据悉，尔必达与台湾创新存储器公司......
2010年存储器市场最夯产品非NOR Flash莫属，从年初开始供货吃紧且价格一路飞涨，尽管各家NOR Flash厂对于第3季价格都是持续看涨，但产业供需结构却是暗潮汹涌，其中，旺宏与华邦大举扩充12寸厂产能，飞索(......
全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平，2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看，含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并持续成长中，已成为全球半导体市场需求的强力支撑。然因市场对欧......
43.2%在阅读
23.2%在互动
