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美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在201......
英飞凌科技股份公司近日在法国巴黎“智能卡暨身份识别技术工业展(CARTES & IDentification)”上宣布推出适用于新一代安全IC的90纳米SOLID FLASH™ 技术。依靠SOLID FLASH技术，......
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Ac......
亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示，由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响，到2011年1月中旬之前，NAND闪存芯片的价格可能会上涨15%。 ......
2011年DRAM产业中，虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都......
2011年DRAM产业中，虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍......
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的......
据IDC最新的产业研究报告显示，全球存储市场紧跟第二季度21%的增长，第三季度又实现了双位数的增长。 IDC新发布的《全球磁盘存储市场季度监测报告》称，全球外部磁盘存储系统工厂与去年相比实现19%的收入增长，总......
据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。 2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元，比2009年......
据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。三星以3D-TSV技术在4......
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