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首先简单认识一下硬盘的物理结构，硬盘内部的物理结构很复杂，只能从大的颗粒度去看内部的结构 总体来说，硬盘结构包括：盘片、磁头、盘片主轴、控制电机、磁头控制器、数据转换器、接口、缓存等几个部份。所有的盘片(一般硬盘里......
紫光集团董事长赵伟国近日在第四届世界互联网大会表示，近年来，紫光集团把企业发展的重点聚焦在了集成电路上。在移动领域，紫光现在每年向全球提供的手机芯片超过7亿部套片;在存储领域，紫光已经研发出了32层64G的完全自主知......
据韩国媒体《etnews》报导，日前遭美国芯片厂Netlist控告两项存储器模组侵权的韩国存储器大厂SK海力士，美国国际贸易委员会(ITC)3日宣布，决定立案开始调查。调查最终结果，一旦被裁定有侵犯专利权的事实，IT......
三星宣布512GB闪存已进入量产，意谓着明年Galaxy S9与Galaxy Note 9等新旗舰机储存容量有望从当前最大256GB翻倍成长。 512GB闪存主要因应4K超高分辨率影片的录制需求增加，据三星表示......
明年NAND flash究竟是涨是跌，多空激烈争辩。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的报告，开了第一枪 。 如今IHS Markit也跟进，预测明年NAND将供过于求。 但是美系外资力排众议，高喊各方错看，......
赛普拉斯半导体公司今日宣布嵌入式系统零售商 MikroElektronika (MikroE) 在其最新的带有 mikroBUS™ 接口的 Click&nb......
围绕着东芝半导体业务，合作伙伴西部数据正通过新方式寻求利益最大化。......
今年全球NAND Flash产业成功转换至64/72层3D NAND规格，随着制程转换完成，全球缺货问题也逐渐纾解，群联董事长潘健成指出，2018年底将进入96层的3D NAND技术世代，带动单一芯片的容量提升至25......
据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。......
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