中国有钱也玩不来主流DRAM？
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编者按： 资本公司联合收购 ISSI，京东方宣告进入 DRAM 市场，中国抢进 DRAM市场的意图愈发明显，但是大把资金投入是否能得到预期收货？DRAM市场是有钱就行吗？
三星、SanDisk、东芝等先进者纷纷转进较具成本优势的 TLC(3bit MLC)，调研机构 DRAMeXchange 预估 2015 年 TLC 产出比重将逐渐攀升，第四季甚至接近整体 NAND Flash 产出，然从下图表一可看出，2014 年第四季产业后进的美光与 SK 海力士还未能发展出 TLC 技术，此外，三星与海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做为技术授权费用给 SanDisk(图表二)。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/273124.htm
▲图表一
▲图表二
存储器产业技术日趋复杂，且单一技术发展已现瓶颈，如行动装置需求爆发下，有望取代 eMMC 成为 NAND Flash 的最大应用的 eMCP 技术，就得结合 DRAM。存储器也日渐讲求解决方案，如何结合系统技术或软体商也变得比以往都来得重要。除了武汉新芯与 Spansion 的合作，武汉新芯与中芯国际也曾找过台湾 NOR 大厂旺宏寻求合作，但已遭拒，中国在存储器产业上还未有更多合作伙伴现身。
Bernstein 认为，钜额资金与庞大技术壁垒，中国走向主流存储器产业，发展高密度存储器产品并非易事，相反地，在物联网装置蓬勃发展下，相关的低密度存储器应用，可能是中国初进存储器市场较可能的发展路径。
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