台积电拟扩大在美国投资，亚利桑那州芯片厂扩建提速
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在美国商务部举办的选择美国投资峰会上，台积电方面表示，在先进半导体制造与人工智能基础设施需求持续攀升的背景下，公司可能进一步扩大在美投资布局。
在峰会期间被问及台积电（2330.TW）是否会继续在美投资时，侯永清博士回应称 “存在多种可能性”，并补充道公司已做好准备，把握新的商业机遇与未来增长空间。
美国商务部长霍华德・卢特尼克在峰会上表示，企业正大幅增加在美投资，尤其集中在人工智能基础设施与半导体领域。他指出，仅台积电和美光科技就已承诺投入数千亿美元用于制造项目，而来自中国台湾、日本、韩国的合作伙伴也纷纷表态将在美国设厂生产。
卢特尼克称，美国政府不再只着眼于引回零散的制造项目，而是希望通过基础设施重建、能源投资与大规模半导体生产，推动更广泛的产业复兴。他预计美国将吸引数万亿美元投资承诺，其中包括数千亿美元的能源基础设施投资，以及超 1 万亿美元的半导体相关基础设施投资（数据中心投资未计入）。
美国商务部主管国际贸易的副部长威廉・基米特也在峰会上称赞台企，称它们 “不仅擅长制造，更懂得落地执行、兑现成果”。
台积电全球扩产速度翻倍
侯永清在近期一场美国科技论坛上，介绍了台积电最新的美国扩产路线图：
2025 年将推进9 期建设项目，2026 年保持同等节奏持续扩产。
相较往年年均约 4 期的平均进度，台积电目前在台湾地区与海外的扩产速度均提升至历史水平的约两倍。
亚利桑那厂区进展
第一座晶圆厂：已采用 N4（4 纳米）工艺量产，服务本地客户，良率已达到台湾厂区生产同款产品的水平。2026 年 N4 产能预计提升1.8 倍。
第二座晶圆厂：土建已完工，2026 年下半年开始装机，瞄准 3 纳米工艺，预计 2027 年下半年量产。
第三座晶圆厂：已动工，规划 2 纳米工艺。
第四座晶圆厂 + 首座先进封装厂：2026 年启动建设。
为支撑未来增长，台积电已在亚利桑那现有厂区对面额外拿下一块用地，以满足美国客户的扩产需求。
行业消息称，台积电内部已确认，在当前规划的 6 座晶圆厂、2 座先进封装厂之外，还计划至少再增建5–6 座生产设施。
首座先进封装厂预计今年下半年动工、2028 年投产，暂定采用 SoIC 与 CoW 封装技术；第二座先进封装厂（AP2）将根据客户需求启动。
加速在美扩产的原因
供应链消息指出，多重因素推动台积电加快美国布局：
美国客户需求强劲；
英特尔、三星在先进芯片订单上的竞争持续加剧；
苹果、谷歌、AMD 等企业寻求供应链多元化，减少对台积电单一依赖；
马斯克的 “超级工厂（Terafab）” 计划；
美方对电力供应的担忧。
市场普遍预期，台积电将进一步上调在美投资规模。
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