思来半导体完成12英寸碳化硅激光剥离量产设备规模化交付

近期，思来半导体（Silai Semicon） 已完成第三批兼容12 英寸碳化硅（SiC）衬底的激光剥离（LLO）量产设备交付。

公司核心研发团队源自华中科技大学激光科学专业，具备强劲创新能力与多年激光行业深厚技术积累。针对莫氏硬度达 9.5、接近钻石的碳化硅单晶，团队自主研发专属激光剥离技术，先后推出 6 英寸、8 英寸、12 英寸碳化硅衬底量产设备。

相较于行业现有方案，思来设备具备显著技术差异化优势：

• 业内首创片上系统（SoC）集成光源架构，比传统多光源方案集成度更高、稳定性更强。

• 配备自由曲面光束整形技术，以及 “白光干涉表面测量 + 逆向算法补偿” 方案，保障高可靠性。

设备可支持不同电阻率碳化硅晶体的工艺定制，能承受更高能量负载，无老化、寿命无限制、抗干扰能力强。兼容 6/8/12 英寸衬底，定位精度高，可灵活适配非标准尺寸。设备占地面积仅 1.2 米 ×1.4 米，单机即可完成全流程切割与自动上下料，大幅节省晶圆厂空间，同时实现全自动化高性能运行。

核心优势：效率与成本大幅领先传统工艺

该激光剥离工艺性能显著优于传统线锯切割：

• 产能：8 英寸晶圆激光剥离时间低于 15 分钟，速度为传统方式的 20–30 倍。

• 材料损耗：8 英寸晶圆损耗降至 60–80 微米，降低 60%。

• 无耗材与化学药剂，无需消耗品。

• 晶圆产出提升 30%，单晶圆加工成本降低 50%。

不到半年时间，思来半导体已交付数十台设备，应用于国内多家头部碳化硅厂商。依托模块化设计与产业协同，公司已实现规模化量产，目前批量交付周期为 28 天，未来有望缩短至 14 天。

值得关注的是，思来半导体引入武汉帝尔激光科技股份有限公司等战略投资方。帝尔激光是全球精密激光微纳加工设备龙头企业，已推出多款先进半导体解决方案。

双方合作将进一步强化思来在该关键领域的竞争力。与此同时，公司正拓展硅光核心设备，其自主研发的硅光芯片激光隐形切割设备已成功出口海外，有望成为未来旗舰产品之一。