DDR5利润率现已超过HBM

美光科技公司表示，包括DDR5在内的传统DRAM的利润率最近已经超过了HBM的利润率，这反映了长期合同结构和供应紧张状况的综合影响。

HBM采用先进封装技术将多个DRAM芯片堆叠在一起，通常制造工艺更复杂，价格也更高。值得注意的是，HBM和传统DRAM目前利润都很丰厚，但通用DRAM（包括用于PC和智能手机的产品）的利润率已经超过了HBM。

利润率变化的主要原因

首先，HBM的供应越来越受长期协议的制约，美光将其称为战略客户协议 （SCA）。美光首席商务官Sumit Sadana表示，HBM的价格通常在年初之前就已确定，2026年出货量的很大一部分是在去年年底定价的。虽然此类协议能够提供稳定且可预测的收入，但除了超出合同供应量的增量生产外，它们限制了存储器制造商立即从价格快速上涨中获利的能力。

其次，传统DRAM市场受益于强劲的需求和受限的供应。HBM的生产比标准DRAM消耗更多的晶圆产能，从而减少了通用产品的可用供应。与此同时，数据中心服务器和消费电子设备的需求依然强劲，导致供应短缺。

受此影响，DRAM现货价格飙升。美光表示，DRAM平均售价近期上涨超过60%，使得传统DRAM利润率能够反映实时价格上涨，而HBM价格则基本受合同约束。

尽管DRAM短期内具有盈利优势，但美光表示不会采取纯粹以利润为导向的产品分配策略。现代人工智能服务器部署需要HBM和DDR5 DRAM的组合。如果只优先考虑利润率更高的产品，可能会延迟客户发货，最终损害美光自身的营收表现。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra强调了产品类别之间需要保持平衡，并指出大规模系统出货需要“自然平衡”，而且HBM和DRAM必须作为完整解决方案的一部分一起供应。