- 据韩媒New Daily援引业界消息，三星电子正以韩国天安园区为核心，加速高带宽存储器（HBM）后段制程的产能扩张。根据计划，三星将在2026年底前实现每月23.1万颗的热压键合（TCB）制程产能，同时每月提供1.95万颗基于混合铜键合（HCB）技术的产能。到2029年，三星将把HBM堆叠制程的重心从TCB技术逐步转移至HCB技术。 三星于2026年2月宣布率先量产HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技术。业界分析认为，HBM市场的竞争重点正从存储器芯片本身转向堆叠与键合的速
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三星计划 HBM 后段制程 HCB
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