三星HBM4将于农历新年后率先出货，初期市占率预计约25%

随着英伟达（NVIDIA）计划于2026年3月中旬在GTC大会上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星与SK海力士在HBM4（第四代高带宽内存）领域的竞争正引发市场高度关注。据韩联社（Yonhap News）和《韩国经济新闻》（Hankyung）报道，三星有望成为全球首家在农历新年后实现HBM4量产并出货的厂商，但其初期市场份额预计仅在25%左右。

《韩国经济新闻》援引业内人士消息称，英伟达已于2025年底初步分配了HBM4的采购份额：SK海力士获得最大份额，约为55%；三星位居第二，占比约25%；美光（Micron）则约占20%。

三星HBM4亮点：性能领先，技术激进

尽管份额较小，三星正强势回归高端内存市场。韩联社报道称，三星已提前通过英伟达的质量认证，并成功获得订单，计划最早于本月第三周开始大规模出货HBM4。

除了率先上市，三星的HBM4还被称作业界性能最强。这一飞跃源于一项大胆的技术组合：采用第六代10纳米级（1c）DRAM芯片，并搭配4纳米制程的基底裸晶（base die）。

凭借这一组合，三星HBM4的数据传输速率高达11.7 Gbps，远超JEDEC标准的8 Gbps——比基准快37%，也比上一代HBM3E（9.6 Gbps）提升22%。

此外，韩联社指出，三星HBM4单堆栈内存带宽可达3 TB/s，约为前代产品的2.4倍；通过12层堆叠实现36GB容量；若采用16层堆叠，容量更可进一步提升至48GB。

双轨战略：HBM4秀肌肉，主流DRAM赚利润

三星或许无需过度担忧HBM4份额较低。《韩国经济新闻》分析指出，与HBM复杂的3D封装不同，主流DRAM制造工艺更简单、利润率更高。据悉，三星的DRAM总产能约为竞争对手的1.2倍。因此，三星采取了一种聪明的策略：一方面通过为英伟达供应HBM4展示尖端技术实力，另一方面仍将重心放在利润更丰厚的主流DRAM市场。

不过，HBM4的高成本不仅来自封装。《韩国经济新闻》提到，三星使用的4纳米基底裸晶仍属先进制程，而1c DRAM也是目前最先进的DRAM技术。相比之下，竞争对手多采用12纳米制程基底和1b DRAM，因此三星HBM4面临更高的生产成本和更大的良率不确定性。

值得注意的是，在AI驱动的强劲需求下，三星同样面临产能瓶颈。报道称，目前1c DRAM月产能约为7万片晶圆，仅占三星DRAM总产能的10%。平泽第四生产线（Pyeongtaek Line 4）的扩产正在进行中，但需一年时间才能将月产能提升至约19万片。

在当前内存价格全面上涨（不仅HBM，各类存储芯片均涨价）的背景下，三星拥有充足的调配空间，可高效分配其有限产能。

SK海力士与美光的处境

既然三星技术领先，为何英伟达仍将HBM4最大份额给予SK海力士？《韩国经济新闻》解释称，HBM生产周期超过六个月，供应商必须提前锁定产能。此次分配反映了英伟达对各家供应商在技术验证记录、HBM4产能准备情况及认证进度等方面的综合评估。

报道称，SK海力士近期在英伟达的认证测试中表现强劲。鉴于英伟达今年晚些时候将在Vera Rubin中大规模部署HBM4，选择产能最大且交付最可靠的SK海力士作为主力供应商，是合理之举。

相比之下，另一家存储巨头美光似乎正在掉队。《韩国经济新闻》引述市场传言称，美光难以向英伟达稳定供应HBM4，这可能使三星的份额从25%进一步提升至30%。科技媒体TechPowerUp补充指出，美光可能未获得初始HBM4订单，但将为英伟达“Vera”系列CPU提供LPDDR5X内存，支持高达1.5TB系统内存，以此弥补HBM4份额的损失。