5 结论
作为第三代照明光源，发光二极管( LED) 的使用已经日益广泛，LED 发光效率的提高对于降低功耗、节约能源有着重大的意义。目前，GaN 基LED的内量子效率已经达到90%，但由于受全反射影响，普通LED 的外量子效率仅为5%。利用LED 芯片表面的微结构加工，可以大幅改善LED 的出光效率。但由于微纳结构加工的重复性不好以及加工过程中对半导体材料的电学特性有所影响，这些因素都会影响到LED 芯片的出光效率以及增加芯片能耗。因此，优化和改善微纳结构加工工艺以及将微结构加工与其他提高出光效率的技术相互结合，是未来的研究趋势。
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