0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计

从图4可以看到运算放大器的幅频响应，相位裕度为46°，低频段增益达105 db。
4 整体电路
为了使电路能够正常的工作，加入启动电路，整体电路如图5所示。

5 仿真结果
依照图5，在Cadence中使用SMIC 0.18 μm工艺库搭建电路，进行仿真。电路的启动时间及输出电压如图6所示。
可以看到，输出的基准电压稳定后在600.19 mV，启动时，有微小的变化，并且在极短的时间内稳定下来。
仿真基准电压源的温度系数和在电源电压变化时的稳定性如图7所示。

在图7中，可以看到温度从0 ℃～100 ℃变化时，基准电压从600.19 mV增大至600.44 mV，后逐渐变小至600.14 mV，温度系数为5 ppm/℃。
仿真图5中电源电压变化对输出基准电压的影响，得到结果如图8所示。
从图8中可以看到，电源电压从0 V增大到5 V，在电源电压为1.1 V时，输出的基准电压已经达到600 mV，而在当电源电压继续增大时，输出的基准电压基本保持不变。
本文使用SMIC0.18μm工艺设计实现了一个0.6 V的带隙基准电压源，并且功耗较小，适用于各种便携式电路设计中基准源的需要，仿真结果证明了该电路良好的性能。
参考文献
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