以较高的开关频率在负载点 (POL) 应用中工作
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如表2所示，使用最新一代的 FOM 硅，FDPC8011S 能够近似匹配大尺寸备用设计的 RDS(ON)值。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/170366.htm
效率：
图12和图13展示三个选项之间的效率和功率损耗比较： Power Clip 33 Dual、Power Stage 56 Dual 和分立式 Power 33 / Power 56。测试点是一个典型的 POL 操作点;12 Vin 和 1.6 Vout。 在 300 kHz 和 600 kHz 的频率下对性能进行了比较。
这些 MOSFET 组合经过测试，因为所有组合拥有类似的电气特性。 这就能够将小占位面积和低寄生参数的 Power Clip 33 设计与传统尺寸封装进行比较。 FDPC8011S 同时在 300 kHz 和 600 kHz 的频率下在几乎整个负载范围内展示出更高的效率和更低的损耗。
注意，分立式组合和 Power Clip 之间的性能交叉点在更高的操作频率下显著移出。 这反映了 Power Clip 33 更低的封装和开关环路寄生参数。
开关性能
表3展示了每个封装的 PSPICE 模型参数。 四个电感： HS 漏极、HS 源极、LS 漏极和 LS 源极，对于提升效率至关重要，因为它们都在 AC 开关路径中，且都能限制最大 di/dt 开关速度。 Power Clip 33 的一个独特功能是，LS MOSFET 源极朝下。 因此，LS 源极电感比之前的封装低一个数量级。
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