晶体管也玩立体化 Intel Ivy Bridge前景乐观

　　3-DTri-Gate使用一个非常薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。

　　通过使用3D晶体管，芯片可以在低电压和低泄露下运行，从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下，22纳米的3-DTri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外，在相同的性能条件下，新的晶体管耗电不及2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。

　　据Intel方面透露，22纳米的芯片性能比现在的32纳米芯片更高。为了扩大制程技术的优势，赶上移动竞赛，上个月英特尔将2011年资本开支提高到102亿美元，原定数额为90亿美元，目的是落实12纳米制程的开发。

　　目前，Intel的IvyBridge还未进行大规模量产，但Intel也表示IvyBridge可能会提前发布，目的在于对抗即将上市的推土机。从产品技术方面来看，IvyBridge并没有过多出彩的地方，仅仅是SandyBridge的升级版本;而从工艺角度讲，IvyBridge所基于22nm的3-DTri-Gate晶体管则是首次应用到实际产品中，也是晶体管发展的一场革命。不过从当前的一些资料来看，IvyBridge工程样板的测试中功耗表现并不突出，看来还需要进一步优化。

　　而至截稿之前的最新消息显示，Intel将于2012年3月份到4月份期间正式推出下一代SocketLGA1155插槽22纳米IvyBridge处理器，并且在最新的Roadmap中已有显示。推土机性能到底如何，IvyBridge能否提前到来，让我们拭目以待吧!