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如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器

  • 在本文中,我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的,包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率,以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下,纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%,同时,降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明,纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商(包括现有制
  • 关键字: SiC  BEV  

使用ADuM4136隔离式栅极驱动器和LT3999 DC/DC转换器驱动1200 V SiC电源模块

  • 简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能,如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗,以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求,例如,,通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势,这款单通道器件的输出驱动能
  • 关键字: DC/DC  SiC  

SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件,被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过,这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善,特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低,这些半导体开关的应用范围越来越广。结果,市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高,对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求,进一步改进MOSFET/ IGBT产品,但在某些时候,收益递减
  • 关键字: SiC MOSFET  意法半导体  

SiC: 为何被称为是新一代功率半导体?

  •   王 莹 (《电子产品世界》编辑,北京 100036)  SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示,2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。  不过,制约SiC发展的关键是价格,主要原因有两个:衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,罗姆等公司已经有6英
  • 关键字: 201909  新一代功率半导体  SiC  

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

使用SiC技术攻克汽车挑战

  •   摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头,20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容,重点介绍有关SiC技术和封
  • 关键字: SiC  WInSiC4AP  

SiC和GaN系统设计工程师不再迷茫

  •    SiC和GaN MOSFET技术的出现,正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点,而这在几年前是不可想象的。  在现实世界中,没有理想的开关特性。但基于新材料、拥有超低开关损耗的多种宽禁带器件正在出现,既能实现低开关损耗,又能处理超高速率dv/dt转换,并支持超快速开关频率,使得这些新技术既成就了DC/DC转换器设计工程师的美梦,但同时也变成了他们的恶梦。  比如一名设计工程师正在开发功率转换应用,如逆变器或马达驱动控制器,或者正在设
  • 关键字: SiC  GaN  

快速充电用AC/DC电源设计

  • 提出了一种新型快速充电策略,并设计和制作了可满足12 V/40 Ah锂电池组快速充电需求的高功率密度AC/DC电源,介绍了AC/DC电源拓扑结构、关键元件选型及参数计算。快速充电器输入PF大于0.98,额定工作点效率大于90%。可实现12.8 V/40 Ah锂电池组3小时内100%SoC快速充电。
  • 关键字: 快速充电  锂电池组  PFC  LLC  SiC  201808  

德州仪器CTO:TI颠覆性技术将引领我们快速前进

  •   当我坐在电动汽车上踩下加速踏板,时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上,而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。  畅想一下,新技术将影响着我们未来的工作和生活:  · 汽车组装生产线上将重新配置协作机器人,由它们来组装不同型号的车辆。这将在降低成本的同时大大提高生产力,发挥竞争优势。今天,重置一个这样的工厂可能需要几年的时间。  · 机器视觉技术将使人们即使在夜间、雾天和灰尘的环境下,驾驶时也可清晰视物。  · 充电器尺寸将缩小到信
  • 关键字: 德州仪器  SiC  

应用角:云电源

  •   云电源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的电源的通用术语。在电信或传输应用中,云电源将为基带单元和远程无线电单元供电。用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源,以确保在暂时断电时用户仍可访问云。每台服务器还将需要一个电源单元(PSU),以及众多的DC-DC转换器来提供负载点电源。  由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数(2017年付运约20亿台设备,比2015年增长54%),因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此,正在构建大型服务器机群,这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量,终
  • 关键字: 云电源  SiC  

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

  •   摘要  本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。  前言  市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。  宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好,被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中,兼容硅
  • 关键字: MOSFET  SiC  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能与高可靠性

  • SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
  • 关键字: 电源转换器  SiC  MOSFET  逆变器  201707  

SiC集成技术的生物电信号采集方案设计

  • 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了.
  • 关键字: SiC  集成技术  生物电信号  采集方案  

基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

  • 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了,但如何
  • 关键字: EEG  SiC  生物电信号采集  IMEC  

第三代半导体材料盛行,GaN与SiC如何撬动新型功率器件

  • GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
  • 关键字: GaN  SiC  第三代半导体材料  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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