据韩国ET NEWS报导，过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格，可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌，但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少，但对台湾企业打击可能更大。
据相关业者及证券师指出，自2009年4月持续上升的DRAM价格进入第3季后可能会有 5%的价格下滑。业界相关人员表示，第3季DRAM价格依据PC业者的调降要求，可能会有5%的下滑，但DRAM供货货量有限制，因此下滑幅度应不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40纳米
乐金集团(LG Group)重申，该公司无意接手经营南韩芯片制造商海力士(Hynix Semiconductor Inc. KR-000660)。
据彭博报导，首尔经济日报稍早报导，海力士的债权银行要求乐金集团经营接管海力士。
乐金集团发言人Lee Hyoung Kun指出：“我们的立场不变，亦即我们无意接管海力士。”此外，他拒绝对报导置评。
根据报导，这些债权银行还提议乐金集团刚开始先购入5%的股权，随后再自行决定是否要进一步买进其他10%的股份。据了解，这
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海力士 芯片制造
在全球集成电路存储器领域处于领先地位的无锡海力士—恒亿半导体有限公司迎来了又一次产品技术升级的契机。6月18日，韩国海力士株式会社与无锡新区在南京签约，将增资11亿美元用于扩大44纳米产品的产能。省委书记梁保华、省长罗志军会见了韩国海力士株式会社社长权五哲一行，并出席项目签约仪式。
梁保华在会见时对无锡海力士半导体封装项目刚刚实现竣工投产表示祝贺。他说，无锡海力士封装项目顺利投产和44纳米技术升级项目签约，标志着我们双方的合作达到了一个新的水平。当前信息产业面临着新的发展机遇，海力士
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海力士 封装
据彭博(Bloomberg)报导，韩国经济日报(Korea Economic Daily)指出，海力士债权机构计划于2010年6月中之后，以成批出售(block sale)的方式出售约5%的股份，然韩国经济日报并未提供消息来源。此外，该报导称海力士将采用毒性卖权(Poison put)避免恶意购并竞标。
海力士债权机构韩国外汇银行(Korea Exchange Bank)于先前表示，海力士的债权人将在2010年出售13%的股权，其中8%将在2010年上半卖出，其余5%将在下半年出售。
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海力士 芯片制造 存储器芯片
韩国芯片制造企业海力士半导体周二表示，公司将投资4560亿韩圆(约合3.734亿美元)用于扩大及升级芯片产能。
报道称，海力士半导体是全球第二大存储器芯片制造商，公司最近将其2010年资本支出计划规模提高了三分之一，达到3.05万亿(兆)韩圆。
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海力士 芯片制造 存储器芯片
海力士半导体(Hynix)宣布，将与斗山电子(Doosan Electro-Materials)共同开发可缩小半导体印刷电路板(PCB)体积近25%的新PCB原料。利用此技术，使用Tenting(蓬盖式)制程也可缩小半导体封装基板的铜线路线宽近25%，至25μm，也将可使PCB基板面积随之缩小。为实现25μm的线宽，已采用MSAP(Modified Semi-Addictive Process)制法，然此制法存在较原始方法制程复杂且困难，所需费用也增加20%的问题。
海力士和斗山为解
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海力士 半导体
海力士半导体决定通过回购恒亿所持合资企业的21%股份以终止双方合资企业的合作关系，此举符合市场广泛预期。
综合外电5月31日报道，以收入计全球第二大电脑存储芯片制造商海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)决定终止与恒亿公司(Numonyx)建立的合资企业，前者将以4.23亿美元回购后者所持合资企业的21%股份。
2010年早些时候，美光科技公司(MicronTechnologyInc)以12.7亿美元收购了恒亿公司，此后市场广泛预期海力士半导体公司将作出上述决定。
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海力士 存储芯片
韩国媒体Korea Times独家获得海力士(Hynix)内部资料，显示该公司在2012年前，将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资，预料竞争将加剧。
除提高投资外，该份名为「财务稳健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦显示，海力士在2012年的营收目标为12兆韩元，较2010年的10兆韩元成长20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率则可望达到20
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海力士 存储器
海力士(Hynix)决定将持有的韩国半导体装备专利及实用新发明831件，释出给合作伙伴参与，若往来的公司对这些专利有需求及合作意愿，海力士将以贩售或给予使用许可的方式提供支持。
海力士为强化与半导体装备、原料等相关中小企业之间的合作关系，因而准备了此方案，并在支持合作公司的网站heinet.hynix.com上开设专利支持系统以供使用。
透过此方案，海力士首先对合作公司公开专利及实用新发明831件，并打算出售或提供使用权。除公开的831件新发明外，若合作公司有要求，也可讨论移转的可能性。
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海力士 半导体装备
以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
据路透(Reuters)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)表示，正在考虑为2007年释出的5.83亿美元可转换债券进行再融资，该批可转换债券原定2010年5月可提前赎回。
海力士尚未决定再融资的方式及时间细节，且尚未决定要由哪里家银行经手。韩国媒体则点名摩根大通 (JP Morgan)、高盛(Goldman Sachs)、瑞士信贷银行(Credit Suisse)、美林证券(Merrill Lynch)及苏格兰皇家银行(Royal Bank of Scotland)可能为经手商。
海
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海力士 存储器
海力士-恒忆半导体有限公司是江苏最大的外商独资项目，为解决该公司精密设备无震动运输的特殊要求，无锡海关创造性地推出“车载物流”监管模式，5个月节约物流成本2000万元。
无锡海关相关负责人介绍说，“车载物流”即载货车辆利用客货班轮进入口岸后，不再需要卸货换装，而是由原车直接完成“陆-海-陆”全程联运，实现门到门运输的新型物流模式。采用这种模式后，海力士在5个月内完成三期工程设备的进境和安装调试，工程产值近5亿美元，同时也为公
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海力士 半导体
据国外媒体报道，韩国海力士半导体的主要债权人韩国外换银行周二表示，海力士半导体的债权人已经以9232亿韩元(约合8.14亿美元)的价格出售了公司6.7%的股份。海力士半导体是全球第二大内存芯片制造商。
韩国外换银行周二发表声明称，海力士的债权人以平均每股2.35万韩元的价格出售了3928万股股份，出售价在每股2.28万韩元至2.35万韩元间。
韩华证券分析师Suh Do Won发表研究报告称：“海力士估值过高的状况似乎有所缓解，目前股价应当反映了公司基本面的强劲好转。&rdqu
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海力士半导体的债权人已任命权五哲为公司新任CEO。
海力士主要债权人韩国外换银行在一封邮件中表示，海力士债权人面试了公司执行副总裁崔镇奭、执行副总裁朴星昱和高级副总裁金旻彻，最终选择权五哲为新任CEO。
海力士债权人此前为拯救海力士投入了46亿美元资金。这些债权人正寻求在今年内出售海力士最多13%的股份。根据海力士当前股价，这部分股份估值为15亿美元。
权五哲将接替海力士现任CEO金钟甲，后者已被任命为海力士董事会主席。随着半导体行业的复苏，权五哲需要保证海力士能持续实现利润增长。分
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继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。
海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。
海力士表示，和30nm工艺相比，新工艺的闪存芯片的产能将翻一番，成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道，海力士将在今年第三季度开始量产 26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占
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