2月9日消息，据台湾经济日报报道，在DRAM芯片行业多数企业普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM芯片厂海力士却发出警告，认为今年DRAM芯片恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM芯片龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警告，看法与三星大为迥异。海力士发警告，将牵动南科、华亚科、力晶以及创见、威刚等台湾内存企业发展计划。
外电报道，海力士执行长金钟甲在接受媒体採访时透露，由于各大晶片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM芯片会供给过剩
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韩国首尔东部地检刑事6部3日表示，对美国AM公司副总经理郭某和韩国分公司AMK公司组长金某提出拘留起诉，并对其他8名职员进行不拘留起诉。他们涉嫌 窃取三星电子95项半导体生产技术，并将其中13项转交给海力士。AM公司是全球最大的芯片生产设备企业，同三星电子和海力士都有合作关系，向他们提供产 品。
检方表示，AM公司盗取的三星电子核心技术中包括三星电子本月1日公布的30纳米DRAM(动态随机存储记忆体)芯片相关资料，这在全球还是首创，另外还包括40项“国家核心技术”。
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据国外媒体报道，海力士半导体出售工作再次以失败告终。
海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc)的债权团在29日的最后期限之前没有收到任何对其海力士半导体公司股份的报价。
债权团将于下月初召开协商会，讨论海力士的经营结构，以及今后的公司处理方案。
海力士半导体的债权人去年12月致函本地公司，邀请他们在周五之前就收购其所持海力士半导体全部或部分股份提交初步报价。
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据国外媒体报道，一位知情人士周二透露，在周五最后日期前，韩国海力士半导体的债权人尚未能找到有意收购海力士半导体股权的买家，而如果竞标失败，债权人可能会考虑将其所持股权整体出售。
这位不愿具名的人士表示，目前来看，出售股权交易的前景并不乐观。
海力士半导体发言人Park Hyun表示，公司并不清楚这一状况。
海力士半导体的债权人去年12月致函本地公司，邀请他们在周五之前就收购其所持海力士半导体全部或部分股份提交初步报价。
债权人此前寻求出售他们在海力士半导体所持总计28%的股份，
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据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。
根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%，落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也将增加NAND Flash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NAND
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2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NANDFlash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NANDFlash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NANDFlash三哥宝座，并防止三星电子(SamsungElectronics)和东芝(Tosh
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1月18日消息，据国外媒体报道，世界第二大的电脑存储芯片制造商海力士在2010年计划偿还1万亿韩元(约合8.88亿美元)的债务。
海力士首席执行官Kim Jong Kap 18日在首尔接受采访表示，海力士2010年的目标是偿还大部分的债务，并且能够对其它公司需要的业务进行投资。据悉，海力士目前欠下将近7万亿韩元的付息债务。
去年11月，Hyosung Corp公司放弃了对海力士股权的竞标，Hyosung Corp放弃竞标后，海力士债权人再次做出了与海力士分道扬镳的尝试。在这样的情况下，降低
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韩国海力士半导体的债转股股东，将对出售的股份规模持灵活态度，这部分股票市值最高达35亿美元。这些股东计划在今年上半年挑选出一买家。
这些股东包括韩国外换银行和国有的韩国金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半导体28%的股权，将在1月29日前收到初步购买要约。海力士半导体是全球第二大存储芯片制造商。
韩国金融公司首席执行官Ryu Jae-han称，“谈到股票规模,可能仅会出售15%，不过这取决于股东委员会的决议。”该公司是去年末从韩国产业银
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韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布，并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为，也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。
反垄断监管单位声明，针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相关的价格操纵调查已经全部结束。
2007年1月，FTC宣布将针对NAND快闪记忆芯片制造商进行反垄断调查，侦查是否有操纵价格的事实，之后已针对全球4家企业进行调查，其中2家位于韩国，另外2家分别在美国和日本，但FTC并未公布详细的企业名单。
韩国快闪记
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韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据。
该机构调查了四家NAND闪存制造商。在被调查的四家厂商中，两家位于韩国，其他位于美国和日本。不过公平交易委员会没有点出这些厂商的名字。NAND闪存适用于于各种手持设备，包括数字音乐播放器、数码相机和手机。
根据三星电子和东芝的说法，今年8月，美国司法部也结束了这样的调查。三星电子和东芝是全球前两大NAND闪存芯片制造商。
市场调查公司iSuppli的数据显示第三季度三星在全球NAND闪存
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根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步估计，2009年全球半导体总收入为2,260亿美元，比2008年下滑11.4%， 这将是该行业在过去的25年来经历的第六次收入下滑。
Gartner半导体调研总监Stephan Ohr先生表示：“2009年第一季度半导体收入急剧下降，这一持续恶化是从2008年第四季度开始的。而2009年第一季度末收入的轻微上扬，则导致了随后明显的同比增长。”
然而，对于半导体行业来说，2009年依旧是自2001年网络泡沫破裂以来收入最差
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12月17日消息，日本半导体设备协会(SEAJ)今日表示，11月日本芯片设备订单出货比为1.18，不及10月时的1.28。
11月数据意味着每完成100日元的产品出货，接获价值118日元的新订单。
记忆体芯片厂商三星电子和海力士半导体均扩大了资本支出计划。。
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据《韩国时报》报道，内存芯片厂商海力士半导体计划在2010年向芯片生产投入大约2.3万亿韩元(约20亿美元)，比2009年的资本开支增加一倍。
这项开支有1.5万亿韩元(大约13亿美元)用于DRAM内存生产，剩余的8000亿韩元(约7亿美元)用于NAND闪存和逻辑芯片的生产。
这篇报道引述消息灵通人士的话说，海力士看到了1GB DDR3内存的需求超过了预期。这篇报道还预计海力士在2010年将在全球DRAM市场扩大领先于日本的Elpida公司的优势。
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据国外媒体报道，全球第二大内存制造商海力士半导体CEO周三表示，公司预计明年1至3月DRAM收入下滑将小于以往季度。
“过去在第一季度，DRAM收入会下滑20%，但我认为在2010年首季不会出现这种幅度的下滑。”首席执行官Kim Jong-Kap表示。
Kim称，微软新操作系统Windows 7推涨了个人电脑的需求。同时有利的因素还包括新兴市场的需求增长，以及趋紧的供货。
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海力士半导体主要大股东韩国外换银行(KEB)周三表示,海力士的大股东将在下月标售其持有的控股股权。
韩国外换银行在声明中称，海力士大股东将在12月20日左右向国内企业公开出售股权，明年1月底前将接受购买意向书。
“目前不是讨论大笔出售股权的时机。”该声明称。
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