- 海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
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海力士 DRAM
- 全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称，它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。
海力士在声明中称，通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术，海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术与以前的技术相比具有速度更快和耗电量更少的优势。
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海力士 DRAM
- 韩国海力士半导体日前正式加入美国SEMATECH的一项有关芯片三维互连研究计划，这一研究主要由美国Albany大学的实验室承担，SEMATECH提供组织和协调。海力士半导体研发部门主管Sung Joo博士表示，三维互连是高性能芯片实现高密度、小型化封装的一个方向、而且还有可能降低制造成本。
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海力士 半导体
- 据路透(Reuters)报导，全球第2大存储器芯片厂海力士(Hynix)发布，将于3月前挹注6,370亿韩元(约5.67亿美元)进行资本投资。
据海力士计划，该笔资金将用于扩张既有厂房、设备升级与研究开发工作。该公司公开说明指出，本次投资规画旨在因应市场需求与成本竞争压力加剧。
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海力士 半导体
- 据国外媒体报道，韩国半导体制造商海力士周三表示，将在3月份之前投资6370亿韩元(约合5.677亿美元)，用于扩大和升级现有工厂，以及开展研发工作。
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海力士 半导体
- 存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降，除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外，市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中，唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士，2011年平板计算机和智能型手机等应用都是NAND Flash当道，海力士还有1座空著的12寸晶圆厂M12，未来若此座厂房加入NAND Flash生产行列，全球NAND Flash产业4大天王将全部到齐!
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海力士 NAND
- 1月30日，海力士半导体(中国)有限公司12英寸集成电路三期项目4.5亿美元银团贷款签约仪式在湖滨饭店举行。本次签约的海力士三期项目，由国家开发银行江苏省分行、中国农业银行江苏省分行为联合牵头行，中国银行、工商银行、建设银行、中信银行共同参与组建银团，融资总额4.5亿美元。这次银团签约，是银企各方继海力士一、二期超大规模集成电路生产线项目银团后的又一次成功合作。
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海力士 集成电路
- 韩国《东亚日报》周一报道，海力士半导体债权人韩国金融公司(KoreaFinanceCorp。)总裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半导体的债权人可能会继续为他们所持海力士半导体的剩余股份寻找买家。
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海力士 半导体
- 海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季将先量产2Gb产品。
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海力士 DRAM
- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Daily)的报导。
彭博电话访问发言人Park Seong Ae指出，实际投资金额可能会依市场情况而调整。Park进一步指出，2010年的投资金额为3.38兆韩元，相较之下，2011年的投资金额可能会比较小。
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海力士 DRAM
- 海力士半导体发言人Park Seong Ae周四表示，公司将从明年第一季度开始量产30纳米芯片。
这一表态证实了韩国网络新闻媒体edaily此前的相关报道。
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海力士 30纳米
- 全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱，营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素，有鉴于大陆市场潜力巨大，该公司拟加码大陆资本投资金额，希望借此刺激营收。海力士大陆区负责人Lee Jae-woo接受Korea Times采访时表示，公司计划提高大陆厂制程技术，以生产高阶晶片。
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海力士 DRAM
- 海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用驱动芯片(DDI)、传感器专门IC设计等企业皆为协商对象。
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- 11月19日电全球第二大计算机存储芯片制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor)周五表示，计划投资2610亿韩圜(约合2.31亿美元),，以提高和升级芯片产能。
该公司对证交所表示，上述投资将于12月底做出。
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- 受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。
海力士周四公布，第三季营业利益为1.01兆韩元(8.849亿美元)，超越市场预期的9610亿韩元，并较去年同期的2090亿韩元大幅成长近5倍，同时逼近上一季创下的1.05兆韩元的历史新高。
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