到2007年8月底，“十一五”规划期的五年时间已过去了1/3，谨在此回顾一下这段时间内我国IC芯片线建设的进展状况。 2005年底，我国共有40条IC芯片线在运转，其中有1条12英寸线，9条8英寸线，8条6英寸线，8条5英寸线，14条4英寸线。从2006年1月至2007年8月期间，我国建成投入运营11条IC芯片线，但由于原有的1条生产线停止运营，因此，净增10条线，总计达到50条线。 经统计，2006年1月至2007年8月期间投入运营的，计有1条
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海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。为确保这项优势，两家公司已经投入相当大的工程资源共同开发该项目。 Z-RAM最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处
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据路透财经报道，韩国最大移动运营商SK电讯高层表示，中国今年发放3G牌照的可能性不大。 SK电讯首席运营官Lee Bang-hyung在首尔参加“路透全球技术、媒体和电信峰会”时表示，“关于中国3G牌照，我们听到市场传言是，可能在10月份中国全国人大会议召开后发放”，“(但是)今年发牌的可能性不大”。 SK电讯去年斥资10亿美元，购入中国联通的可换股债券，双方在CDMA领域上有独家合作协议。市场认为，SK电信的入股反映其对联通取得基于CDMA的3G牌照抱有信心，并希望与联通合作拓展全球最大的手机
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韩国领先的互联网创新通信服务供应商之一 SK Communications 现已选用Global IP Solutions (GIPS) 公司的 VoiceEngine™ PC Advanced 嵌入式语音处理解决方案，以提升其 NateOn 实时信息 (instant messaging, IM) 服务的质量。 S
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26日, 韩国海力士半导体表示,计划投资4.6万亿韩元(合约49.7亿美元)建造新厂，并扩张现有生产线。 海力士为全球第二大动态随机存取记忆体(DRAM)制造商。该公司在提交韩国证交所的文件中表示，将投资3.8兆韩元在国内建造12寸晶圆新厂，并在2009年年中前完成投资。 该公司本季也将投资7920亿韩元扩张并升级现有厂房。
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海力士与ST的合资晶圆制造厂终于落户无锡，这座占地800余亩的新厂位于无锡新区，主要制造NAND闪存和DRAM存储器芯片。这个晶圆厂的一期工程总投资为20亿美元，成为迄今为止我国单体投资最大的半导体项目，同时它也是无锡市政府引进的江苏省最大的外商独资项目，因此被无锡当地的报纸称为“晶圆航母”。新工厂一投产运营，马上就可以量产最先进的12英寸的70nm晶圆，而且未来４期项目的总投资额将有望超过１００亿美元。 业界一些专家和权威人士也对这个项目普遍称道，认为该项目将使中国和世界半导体顶尖技术的差距缩短５～１０
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2006年10月，无锡海力士意法半导体在无锡正式投产。
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意法半导体公司和另一家大型半导体厂商海力士半导体为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。中国地方及国家领导参加了开业典礼。 这个技术先进的新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片，该合资公司是海力士与意法半导体成功合作的结晶。合资双方将获得规模经济带来的巨大的经济效益，将能提前进入飞速增长的中国市场，在制造工艺和产品开发上实现优势互补。无锡晶圆制造厂将加快
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海力士与意法半导体合资兴建的江苏无锡半导体厂，将在明年4月着手量产。 韩国业界相关人员近日指出，据传海力士最快将在明年第一季底，最迟将在明年第二季初启用无锡厂。无锡厂将以生产DRAM为主，NAND型闪存则将视市场需求弹性生产。 无锡厂区达16万平方米，海力士计划投入2兆韩元以上兴建一座八吋晶圆厂与一座12吋晶圆厂。明年4月将启用的为8吋晶圆厂，将采用9
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