沉寂了一段时间后，中国半导体业又重新开始冲剌，表现为上海华力12英寸项目启动及中芯国际扩充北京12英寸生产线产能至4.5万片，包括可能在北京再建一条12英寸生产线等。
然而，从国外媒体来的讯息表示的观点有些不同。如美国Information Network认为中国半导体业在政府资金支持下，在未来的5年内将投资250亿美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市场分析公司对于投资的回报率存有质疑，其实这一切才是正常的。因为中国半导体业是属于战略产业，不是完全可用市场机制，单一的经济规律来解释得通。
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半导体 28nm 40nm
有人说现在是大公司时代，强者更强，因此电子业内兼并重组现象时有发生。有人却说，未来给中小企业带来了机会，只要你的技术或产品在专注的领域里能排在前三，因为发达的媒体业铲平了信息阻隔，为更多的中小企业创造了贸易机会。
最近，笔者参加了美国Globalpress公司在硅谷周边——Santa Cruz举办的Electronic Summit2010(电子高峰会议)，有约30家公司参与，大部分是中小企业。从中感慨到：摩尔定律揭示了半导体业正向40/32/28nm制程推进的必然过
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摩尔定律 40nm 32nm 28nm 201006
Altera公司今天宣布，开始量产发售40-nm Stratix® IV FPGA系列密度最大的器件。Stratix IV E EP4SE820具有820K逻辑单元(LE)，非常适合需要高密度、高性能和低功耗FPGA的各类高端应用，包括ASIC原型开发和仿真、无线、固网、军事、计算机和存储应用等。此次发布后，Altera高端40-nm Stratix IV FPGA系列全部面市，所有器件都已量产发售。
Stratix IV E器件作为Stratix IV FPGA系列的型号之一，同时实现
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Altera 40nm Stratix
东芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美国夏威夷州檀香山)上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最小驱动电压上升。东芝此次证实，单元面积仅为0.24μm2的32Mbit SRAM的驱动电压可在确保95%以上成品率的情况下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驱动电压可从65n
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东芝 40nm SoC SRAM
全球领先的纳电子研究中心imec和全球领先的半导体代工厂商TSMC日前宣布拓展imec欧洲基于TSMC 40nm工艺的IC服务。通过紧密的合作，imec和TSMC将同时为欧洲公司和研究机构开放Cybershuttle MPW平台。
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TSMC 40nm
据主板业者透露，AMD公司为了缓解旗下GPU市场供货紧缺的问题，曾授意其显卡/芯片组代工厂商台积电公司将原先用于生产AMD55nm制程芯片组产 品的产线改为生产GPU芯片，业者预计此举有可能导致AMD的芯片组产品出现供货紧缺现象。
2009年下半年，由于台积电公司40nm制程良率出现问题，AMD公司的40nm制程HD5000系列显卡曾一度出现严重缺货，结果导致显卡厂商饥不择食改下55nm Radeon HD4000系列显卡GPU订单，不过由于AMD公司此前对55nm GPU芯片的市场需求估计过低
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AMD 40nm GPU
据报道，日本DRAM大厂尔必达今天宣布已经研发出40nm 2Gb移动(Mobile RAM)内存颗粒。该颗粒大小不到50平方毫米，号称目前能够使用40nm工艺实现量产的最小颗粒。该2Gb移动内存颗粒基于40nm CMOS工艺，支持x16-bit、x32-bit位宽，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封装。除JEDEC标准的1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V的低电压工作，数据传输率400Mbps，工作温度-25到85度。
尔必达称，新40nm颗粒在使用了尔必达独家设计工艺以及
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尔必达 40nm 内存
据Digitimes网站报道，AMD公司计划将其集显处理器产品Fusion外包给台积电公司代工生产，而台积电公司则将使用40nm体硅制程技术来生 产这款产品，另外这款处理器的后端封装等则将外包给矽品願景( Siliconware Precision Industries：(SPIL)公司。而与AMD关系紧密的Globalfoundries也将获得Fusion集显处理器的一部分订单，据 TechEye网站最近的一篇报道显示， Globalfoundries公司目前正在使用32nm SOI制程技术为AMD
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AMD 40nm 集显处理器
顶级内存/闪存芯片厂商三星公司近日宣布由于Intel至强5600系列新处理器的出炉，刺激服务器厂商对DDR3内存的需求量大增，因此公司将增加 40nm制程DDR3内存芯片的产能。三星表示其40nm制程DDR3内存芯片产品的耗电量将比60nm制程产品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3内存芯片产品的型号主要有1Gb/2Gb/4Gb几种，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed内存条。
三星半导体公司的副总裁Jim Elliott表示：“当与
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三星 内存芯片 40nm DDR3
Altera公司今天发布宣布，第一季度销售额达到4.023亿美元，比2009年第四季度增长10%，比2009年第一季度增长52%。新产品销售持续增长29%。今年第一季度净收入达到1.532亿美元，每股摊薄后收益为0.5美元，而2009年第四季度净收入为1.03亿美元，每股摊薄后收益0.34美元，2009年第一季度净收入为0.44亿美元，每股摊薄后收益0.15美元。
运营现金流为1.327亿美元。Altera本季度末流动资金和短期投入达到17亿美元。
Altera董事会宣布，每股0.05美元
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Altera FPGA 65nm 40nm
日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
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尔必达 40nm CMOS DDR3
根据DRAMeXchange的预测，从今年到2012年，DRAM产业供给方面在产能扩充、资本支出、浸润式机台供给有限，以及40nm以下制程转进难度高影响下，位成长有限。而DRAM需求在全球景气复苏，带动消费者及企业换机潮，以及智能型手机带动行动内存需求大幅成长下则将动力强劲，预期未来三年DRAM产业有机会连续获利。
DRAMeXchange指出，DRAM产业过去十几年来，几乎每三年为一景气循环周期，以DRAM厂的营业获利率分析，2001至2003年DRAM产业连续三年亏损，2004至2006年转
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智能手机 DRAM 40nm
在2010年2月10日召开的国际固态电子电路大会上，IMEC、株式会社瑞萨科技(以下简称瑞萨)、M4S联手推出了利用40nm低功耗CMOS工艺制造而成、带有RF、基带和数据转换器电路的完整收发器。这款完全可重配置的收发器符合各种无线标准和应用要求，并且符合即将推出的移动宽带3GPP-LTE标准。
可随时随地为用户提供大量服务的无线通信终端发展趋势，推动了利用深亚微米CMOS工艺制造而成的可重配置无线电的发展。就3GPP-LTE标准自身非常灵活的特性而言，可重配置无线电就成为其最经济的实现方式。并
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瑞萨 40nm CMOS 无线收发器
据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业论坛会议上透露这些信息的。
会上蒋尚义还透露了台积电28nm制程推进计划的细节，据他表示，台积电将于今年6月底前开始试产28nm低功耗制程(LP)产品，基于这种制程产品将采用SiON+多晶硅材料制作管子的栅极绝缘层和栅极;随后的9月份台积电计划启动首款基于HKMG
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台积电 40nm 芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代产品降低35%，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
三星指出，目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条，总容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，内存子系统功耗可达210W，换
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三星电子 40nm DDR3
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