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飞思卡尔推出最高功率的LDMOS射频功率晶体管

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作者:时间:2007-08-07来源:EEPW收藏
半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的射频功率。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

这种超高效率承诺为工业、科技和医疗(ISM)市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该的操作电压为50V,与双极和MOSFET 设备相比,它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。

以空前的功率水平实现高增益,这大大减少了所需的部件数量,与传统设计相比,部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少,使主板空间要求和制造复杂性随之降低,最终使放大器成本全面降低。 

副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示:“MRF6VP11KH的推出,在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备(包括、MOSFET和双极)都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备,让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。”

这种晶体管在10-150 MHz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (VHV6) (横向扩散金属氧化物晶体管)技术,是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗(ISM)市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50V VHV6 LDMOS设备系列,能够满足在频率高达450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM应用所需的要求。

ABI Research半导体研究主任Lance Wilson表示: “飞思卡尔凭借50V LDMOS已经突破RF 1 kW脉冲功率级别。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低热阻和高输出失配可存活性都给人留下了深刻印象。”
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