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安森美推出新SOT-723封装功率MOSFET

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作者:时间:2007-02-16来源:收藏
 半导体推出采用小型,特别为空间受限的便携式应用优化的新一代,这些新低临界值采用半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许多MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。

  NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET,NTK3139P则是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET,两款器件在高于200 mA工作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1.5 V的低门极电压让它们可以通过电源管理ASIC或其他控制器直接控制。

  NTK313xx器件相当适合负载或电源转换应用和小信号接口切换,内置静电放电(ESD)保护,这些器件把特殊处理和工序需求减到最低。封装的1.2 mm x 1.2 mm占位面积比起提供相似性能,采用SC-89或SC-75封装的MOSFET节省了44%的电路板空间,拥有0.5 mm的低垂直间隙,这些新封装MOSFET能满足新一代超薄手持便携式设备的需求。

  目前两款器件都已批量生产并供货,每10,000  
片的预算批量单价为0.13美元。如需更多信息,请访问http://www.onsemi.com.cn或联系郭树坤(电邮地址: Ricky.Kwok@onsemi.com )。




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