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功率mosfet 文章

儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

  • 由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率,或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外,随着额定温度的
  • 关键字: 儒卓力  英飞凌OptiMOS™   功率MOSFET  

功率MOSFET安全工作区,真的安全吗?

  • 本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义,详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间工作在线性区的应用中,必须采用实测的安全工作区理由。
  • 关键字: 功率MOSFET  安全工作区  线性区    热电效应  201903  

功率MOSFET的结构,工作原理及应用

  • “MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
  • 关键字: 功率MOSFET  MOSFET  

Vishay:创新才会吸引注重速度和安全的本土车企

  •   Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海电子展”上展出了众多创新成果,包括无源元件、二极管、功率MOSFET和光电子器件等,并特辟了汽车电子展示区,展出了高效和高可靠性汽车电子应用。汽车电子展区的三大亮点  Vishay展示了3套特地从德国运来的与汽车电子相关的demo(演示),分别是:  • 用于48V板网的马达驱动装置(48V/150W),特点是用于轻混动力系统的电动机驱动装置;功率可达10 kW。该装置所有部分由Vishay独立设计完成,可以提供马达驱动的电流、转速等调整。  据悉,48V在欧
  • 关键字: Vishay  无源元件  二极管  功率MOSFET  光电子器件  201605  

功率MOSFET的由来及结构原理浅谈

  • 什么是功率MOSFET我们都懂得如何利用二极管来实现开关,但是,我们只能对其进行开关操作,而不能逐渐控制...
  • 关键字: 功率MOSFET  IGBT  二极管  

Vishay在2013中国电子展成都站将展出其最新的业界领先技术

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站(夏季会)上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214,展示亮点是其最新的业界领先的创新产品,包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。 在2013中国电子展上,Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET,提高效
  • 关键字: 无源元件  二极管  功率MOSFET  

常用功率器件MOSFET基础介绍

  • 常用功率器件MOSFET基础介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关,但是,我们只能对其进行开关操作,而不能逐渐控制信号流。此外,二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
  • 关键字: 功率MOSFET  二极管  

UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  • 1引言随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思...
  • 关键字: 功率MOSFET  栅极驱动  解耦  

MOSFET的谐极驱动

深入理解功率MOSFET数据表

  • 在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFE...
  • 关键字: 功率MOSFET  

功率MOSFET的开关损耗的研究

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: 功率MOSFET  开关损耗  

Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。 
  • 关键字: Vishay  功率MOSFET  

功率MOSFET供货紧张

  •   据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。  
  • 关键字: 英飞凌  功率MOSFET  

IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ,可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路,使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。   IR 亚太区销售副总裁潘
  • 关键字: IR  功率MOSFET  
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功率mosfet介绍

  “MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写,意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”,功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器,工作于线性范围,大多数用作开关和驱动器,工作于开关状态,耐压从几十伏到上千伏,工作电流可达几安培到几十安培。 [ 查看详细 ]

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