功率 MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
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MOSFET 功率MOSFET
由于具有最低的导通电阻(RDS(on))，这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外，通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，同时也减少了工程成本和工作量。这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°，有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率，或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外，随着额定温度的
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儒卓力 英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET
本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义，详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间工作在线性区的应用中，必须采用实测的安全工作区理由。
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功率MOSFET 安全工作区 线性区 热电效应 201903
“MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
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功率MOSFET MOSFET
Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海电子展”上展出了众多创新成果，包括无源元件、二极管、功率MOSFET和光电子器件等，并特辟了汽车电子展示区，展出了高效和高可靠性汽车电子应用。汽车电子展区的三大亮点 Vishay展示了3套特地从德国运来的与汽车电子相关的demo(演示)，分别是： • 用于48V板网的马达驱动装置(48V/150W)，特点是用于轻混动力系统的电动机驱动装置;功率可达10 kW。该装置所有部分由Vishay独立设计完成，可以提供马达驱动的电流、转速等调整。 据悉，48V在欧
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Vishay 无源元件 二极管 功率MOSFET 光电子器件 201605
什么是功率MOSFET我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制...
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功率MOSFET IGBT 二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站（夏季会）上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214，展示亮点是其最新的业界领先的创新产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。
在2013中国电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET，提高效
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无源元件 二极管 功率MOSFET
常用功率器件MOSFET基础介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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功率MOSFET 二极管
1引言随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思...
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功率MOSFET 栅极驱动 解耦
在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFE...
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功率MOSFET
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
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功率MOSFET 开关损耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay 功率MOSFET
据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。
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英飞凌 功率MOSFET
功率mosfet介绍
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。 [
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