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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通...

东芝 N沟道 2025-09-25

以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK® 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 ...

电源管理 MOSFET 2025-04-29

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器...

Vishay 功率MOSFET 2025-04-17

技术背景：功率半导体进化论在现代电力电子系统中，功率MOSFET如同"电子开关"般控制着能量流动的命脉。这类器件的核心使命是在导通时实现最低损耗，在关断时承受最高电压，同时要在两种状态间实现光速切换。...

意法半导体功率MOSFET 2025-03-14

Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此...

CCPAK1212封装 Nexperia 2024-12-13

提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20...

Littelfuse 超级结 2024-11-26

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