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功率MOSFET基础详解

发布人：传感器技术时间：2024-10-19 来源：工程师

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来源：半导体材料与工艺

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关键词： 功率MOSFET

P通道功率MOSFET及其应用

Littelfuse P通道功率MOSFET虽不及广泛使用的N通道MOSFET出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，P通道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P通道的简易...

电源与新能源 P通道功率MOSFET Littelfuse 2024-04-21

001.Powerful solutions for DC/DC conversion

Powerful solutions for DC/DC conversionPowerful solutions for DC/DC conversion For DC/DC conversion, NXP offe...

资源下载 NXP 功率MOSFET 2010-04-13

功率MOSFET知识大全

功率MOSFET知识大全功率场效应晶体管MOSFET 2007-05-28 11:43:40 作者：来源：全网电子关键字：静电感应驱动耐压 [pic][pic] ...

资源下载功率MOSFET 知识大全 2010-10-18

电源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK® 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 ...

电源与新能源电源管理 MOSFET 功率MOSFET 2025-04-29

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V E系列功率MOSFET

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET...

电源与新能源 Vishay 顶侧冷却 PowerPAK 功率MOSFET 2024-05-07

英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 ...

电源与新能源英飞凌 StrongIRFET 功率MOSFET 2024-09-29

48V 系统：高效、稳健地驱动功率 MOSFET

设计方案功率MOSFET 48V电源 2025-05-28

东芝推出采用最新一代工艺的100V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通...

电源与新能源东芝 N沟道功率MOSFET 工业设备开关电源 2025-09-25

Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET

提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20...

电源与新能源 Littelfuse 超级结功率MOSFET 2024-11-26

CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此...

电源与新能源 CCPAK1212封装 Nexperia 功率MOSFET 2024-12-13

功率MOSFET关断dV/dT的区别，你知道吗？

设计方案 pfc电路功率mosfet dvdt 2025-07-04

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

设计方案氮化镓 SiC 功率MOSFET 2025-05-20

Vishay新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器...

电源与新能源 Vishay 功率MOSFET 2025-04-17

英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装，为现代汽车应用提供更高效率

英飞凌科技股份公司近日推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单...

汽车电子英飞凌功率MOSFET SSO10T TSC 顶部冷却封装 2024-04-12

突破功率密度的边界：STL220N6F7功率MOSFET技术解析

技术背景：功率半导体进化论在现代电力电子系统中，功率MOSFET如同"电子开关"般控制着能量流动的命脉。这类器件的核心使命是在导通时实现最低损耗，在关断时承受最高电压，同时要在两种状态间实现光速切换。...

电源与新能源意法半导体功率MOSFET 2025-03-14

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