东芝推出采用最新一代工艺的100V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用东芝最新一代工艺^[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于近日开始正式出货。

100V U-MOS11-H系列优化了器件结构，进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻（R_DS(ON)）、总栅极电荷（Q_g）以及这两者（R_DS(ON)×Q_g）之间的平衡，从而降低了导通及开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的R_DS(ON)降低了约8%，Q_g降低了37%，R_DS(ON)×Q_g改善了42%。此外，它还可通过应用寿命控制技术^[2]实现高速体二极管性能，从而降低反向恢复电荷（Q_rr）并抑制尖峰电压。与TPH3R10AQM相比新产品的Q_rr改善约38%，R_DS(ON)×Q_rr改善约43%。这些业界领先^[3]的R_DS(ON)×Q_g和R_DS(ON)×Q_rr平衡特性^[4]可最大限度降低功耗，从而提高电源系统的效率和功率密度。新产品还采用SOP Advance (N)封装，具有与行业标准高度兼容的贴装特性。

东芝现在还提供以下两款电路设计支持工具：可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型，以及可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

未来东芝将继续扩大其低损耗MOSFET的产品线，为实现更高效的电源以及降低设备功耗做出贡献。

■   应用：

-   数据中心和通信基站等工业设备的电源

-   开关电源（高效率DC-DC转换器等）

■   特性：

-   低漏源导通电阻：R_DS(ON)＝2.7mΩ（最大值）（V_GS＝10V、I_D＝50A、T_a＝25°C）

-   低总栅极电荷：Q_g＝52nC（典型值）（V_DD＝50V、V_GS＝10V、I_D＝50A、T_a＝25°C）

-   低反向恢复电荷：Q_rr＝55nC（典型值）（I_DR＝50A、V_GS＝0V、–dI_DR/dt＝100A/μs、T_a＝25°C）

■   主要规格：

（除非另有说明，T_a＝25°C）

注：

[1]截至2025年9月，东芝的低压功率MOSFET工艺。东芝调查。

[2]寿命控制技术：利用Pt扩散工艺在半导体中引入缺陷，故意缩短载流子寿命，可提高开关速度，进而可提高二极管的恢复速度并降低噪声。

[3]截至2025年9月，与其他适用于工业级100V N沟道功率MOSFET相比。东芝调查。

[4]R_DS(ON)×Q_g＝120mΩ·nC（典型值），R_DS(ON)×Q_rr＝127mΩ·nC（典型值）