中国有钱也玩不来主流DRAM？

　　中国发展半导体产业，从武岳峰等资本公司联合收购 ISSI，到面板厂京东方宣告进入 DRAM 市场，抢进 DRAM市场的意图愈发明显，然而，挟着重金，外界担心中国 DRAM 厂将使现在渐趋平衡的生态再起波澜，中国进入市场对于台厂又会造成什么样的威胁，研究机构 Bernstein Research 从几个面向分析，认为中国若朝主流 DRAM 发展胜算并不大。

　　中国存储器产业布局仍未明朗

　　中国国家积体电路产业投资基金宣告投入 1，200 亿人民币(约合 6，080 亿新台币)，今年 3 月中国武岳峰资本等公司资本联合买下 ISSI (Integrated Silicon Solution)，宣告中国半导体布局伸向 DRAM 产业，ISSI 主要发展利基型 DRAM 与 SRAM，外界预估对主流存储器市场的影响并不大。

　　4 月初再传中国面板厂京东方也意图进入存储器市场，中国芯谋研究(ICwise )首席半导体分析师顾文军发文指称，京东方决定涉足存储器市场的新闻为子虚乌有，但也未把话说死，顾同篇发言也引述京东方董事长王东升先前强调会关注并且 涉足半导体的发言。至少在短期之间，京东方进军 DRAM 产业仍未明朗。

　　据悉，中国半导体扶植政策下，将选择一个省市设置本土的 DRAM 厂，上海、北京、合肥等五个省市争取之中，谁能胜出、策略为何也还未有定数。

　　比较确定的是，武汉新芯集成电路(XMC) 今年 2 月宣布与美国 NOR 快闪存储器领导厂商 Spansion 合作研发 3D NAND 技术，第一个产品预计于 2017 年问世。目前 3D NAND 技术除了三星已正式量产，其他大厂仍处送样阶段或预计下半年小规模量产。技术仍属起步阶段，制作成本仍高，武汉新芯与 Spansion 发展 3D NAND 技术，还得视能否兼顾成本以及每个存储器的电性表现。

　　钜额投资不一定取得了市占

　　存储器产业为典型资本密集与技术密集产业。先从资本谈起，光土地、厂房不含设备，可能就得耗掉 150~200 亿台币，研究机构 Bernstein 预估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一个市场的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季产能来估算，一个月产出得达 20 万片(资本支出大约在 200 亿美元，约 6，260 亿新台币左右)。

　　追逐市占的过程中，若产能一个月增加到 20 万片的幅度，市场将出现超额供给，对于初期生产成本较高的新进者而言，价格会掉到成本以下，新进者即便前面 16~24 个月之间投入 200 亿美元以上的资本支出，十年内仍会落后产业先进者一个世代以上。Bernstein 预估，新进者投入 DRAM 产业，将得承受前面十年 400 亿美元(约 1.3 兆新台币)的亏损，投入 NAND 产业前面十年也要有面临 350 亿美元(约 1.1 兆新台币)损失的心理准备。

　　▲ Bernstein 预估 DRAM 产业新进者，前十年将得面对 400 亿美元以上的亏损。