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瑞萨科技发布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散热型封装

作者:电子设计应用时间:2004-07-27来源:电子设计应用收藏
公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗-倒装型)上表面散热型,作为新的功率MOSFET形式,它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品,现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率MOSFET:HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N,从2004年7月开始,将在日本开始样品发货。

这种新封装的特性总结如下。

(1)与先前的封装相比,安装散热热阻值减小了40%,电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构,与目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比,LFPAK-I的热沉安装在顶部(使用强制空气冷却时),热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%,从25



关键词: 瑞萨科技 封装

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