瑞萨科技发布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散热型封装
这种新封装的特性总结如下。
(1)与瑞萨科技先前的封装相比,安装散热热阻值减小了40%,电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构,与瑞萨科技目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比,LFPAK-I的热沉安装在顶部(使用强制空气冷却时),热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%,从25
这种新封装的特性总结如下。
(1)与瑞萨科技先前的封装相比,安装散热热阻值减小了40%,电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构,与瑞萨科技目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比,LFPAK-I的热沉安装在顶部(使用强制空气冷却时),热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%,从25
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