直接总线式DRAM的信号连接

　　图 Direct Rambus DRAM的信号连接关系

　　异步DRAM、同步DRAM以及DDR－SDRAM等无论哪个输出都是有极性输出，是属于在高电平时驱动高电平的机制，而Direct Rambus DRAM利用漏极开路输出，可以对应于快速操作。

　　另外，采用2个系统时钟是处理时钟相位偏移的对策，DDRSDRAM利用双向的选通信号实施时钟相位偏移的处理对策，而Direct Rambus DRAM预各了由DRAM向DRAM控制器方向的时钟及由控制器向DRAM方向的时钟两个系统，通过改变读操作与写操作时所利用的时钟，实施时钟相位偏移的处理对策，基本上采用了接近理想的处理方式。

　　图的右上部是时钟发生器，物理上放置于离DRAM控制器最远的DRAM的旁边，从这里按顺序给时钟布线，到DRAM控制器处再折回到最远的DRAM处，结束布线。

　　在这两个系统的时钟输人中，由DRAM向主机方向的称为CTM（Clock To Master）；相反，由主机向DRAM方向的称为CFM（Clock From VaSTer），以便于区分。读操作时，也就是从DRAM输出数据时，Direct Rambus DRAM与CTM时钟同步输出数据。如果时钟与数据信号的布线长度等相同，则时钟与数据具有相同的延迟时间到达DRAM控制器，所以DRAM控制器可以与时钟同步接受数据。

　　另一方面，当向DRAM进行写操作时，DRAM控制器与时钟同步输出数据，由于该数据是与作为由DRAM控制器向DRAM方向的时钟CPM时钟一起传输的，所以只要DRAM端能与CFM时钟同步接受数据即可。