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常用半导体二极管的主要参数

作者:时间:2011-08-15来源:网络收藏
常用的主要参数
表13 部分的参数
类型
普通检波
£16
³2.5
£1
³40
20
£250
£1
fH(MHz)150
³5
³150
100
£25
³10
£1
£10
£250
£1
fH(MHz)40
£15
³10
£100
锗开关二极管
³150
£1
30
10
£3
£200
40
20
³200
£0.9
60
40
£2
£150
³10
£1
70
50
£2
£150
³250
£0.7
60
40
70
50
硅开关二极管
³10
£0.8
A³30
B³45
C³60
D³75
E³90
A³20
B³30
C³40
D³50
E³60
£1.5
£3
³20
£4
³30
£1
£5
³50
£1
³100
³150
³200
类型
整流二极管
2
0.1
£1
25
L 600
6
0.3
£1
50
L 1000
10
0.5
£1
50
L 1000
20
1
£1
50
L 1000
65
3
£0.8
25
L 1000
30
1
1.1
50
L 1000
5
50
1.5
1.4
50
L 1000
10
200
3
1.2
50
L 1000
10
3.常用整流桥的主要参数
表14 几种单相桥式整流器的参数
整流
电流/A
反向工作电压/V
最高工作
结温/oC
QL1
1
0.05
£1.2
£10
130
QL2
2
0.1
QL4
6
0.3
QL5
10
0.5
QL6
20
1
QL7
40
2
£15
QL8
60
3
4.常用稳压二极管的主要参数
表15 部分稳压二极管的主要参数
工作电流为稳定电流
稳定电压下
环境温度50oC
稳定电流下
稳定电流下
环境温度<10oC
稳定电压
/V
稳定电流/mA
最大稳定电流/mA
反向漏电流
动态电阻/W
电压温度系数/10-4/oC
最大耗散功率/W
2CW51
2.5~3.5
10
71
£5
£60
³-9
0.25
2CW52
3.2~4.5
55
£2
£70
³-8
2CW53
4~5.8
41
£1
£50
-6~4
2CW54
5.5~6.5
38
£0.5
£30
-3~5
2CW56
7~8.8
27
£15
£7
2CW57
8.5~9.8
26
£20
£8
2CW59
10~11.8
5
20
£30
£9
2CW60
11.5~12.5
19
£40
£9
2CW103
4~5.8
50
165
£1
£20
-6~4
1
2CW110
11.5~12.5
20
76
£0.5
£20
£9
2CW113
16~19
10
52
£0.5
£40
£11
2CW1A
5
30
240
£20
1
2CW6C
15
30
70
£8
1
2CW7C
6.0~6.5
10
30
£10
0.05
0.2
5.常用三极管的主要参数
表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数
原 型 号
3AX31
测 试 条 件
新 型 号
3AX51A
3AX51B
3AX51C
3AX51D
极限参数
PCM(mW)
100
100
100
100
Ta=25oC
ICM(mA)
100
100
100
100
TjM(oC)
75
75
75
75
BVCBO(V)
³30
³30
³30
³30
IC=1mA
BVCEO(V)
³12
³12
³18
³24
IC=1mA
直流参数
ICBO(mA)
£12
£12
£12
£12
VCB=-10V
ICEO(mA)
£500
£500
£300
£300
VCE=-6V
IEBO(mA)
£12
£12
£12
£12
VEB=-6V
hFE
40~150
40~150
30~100
25~70
VCE=-1V IC=50mA
交流参数
fa(kHz)
³500
³500
³500
³500
VCB=-6V IE=1mA
NF(dB)
£8
VCB=-2V IE=0.5mA f=1kHz
hie(kW)
0.6~4.5
0.6~4.5
0.6~4.5
0.6~4.5
VCB=-6V IE=1mA f=1kHz
hre(´10)
£2.2
£2.2
£2.2
£2.2
hoe(ms)
£80
£80
£80
£80
hfe
hFE色标分档
管 脚
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型 号
3AX81A
3AX81B
测 试 条 件
极限参数
PCM(mW)
200
200
ICM(mA)
200
200
TjM(oC)
75
75
BVCBO(V)
-20
-30
IC=4mA
BVCEO(V)
-10
-15
IC=4mA
BVEBO(V)
-7
-10
IE=4mA
直流参数
ICBO(mA)
£30
£15
VCB=-6V
ICEO(mA)
£1000
£700
VCE=-6V
IEBO(mA)
£30
£15
VEB=-6V
VBES(V)
£0.6
£0.6
VCE=-1V IC=175mA
VCES(V)
£0.65
£0.65
VCE=VBE VCB=0 IC=200mA
hFE
40~270
40~270
VCE=-1V IC=175mA
交 流
参 数
fb(kHz)
³6
³8
VCB=-6V IE=10mA
hFE色标分档
管 脚
表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
型 号
3BX31M
3BX31A
3BX31B
3BX31C
测 试 条 件
极限参数
PCM(mW)
125
125
125
125
Ta=25oC
ICM(mA)
125
125
125
125
TjM(oC)
75
75
75
75
BVCBO(V)
-15
-20
-30
-40
IC=1mA
BVCEO(V)
-6
-12
-18
-24
IC=2mA
BVEBO(V)
-6
-10
-10
-10
IE=1mA
直流参数
ICBO(mA)
£25
£20
£12
£6
VCB=6V
ICEO(mA)
£1000
£800
£600
£400
VCE=6V
IEBO(mA)
£25
£20
£12
£6
VEB=6V
VBES(V)
£0.6
£0.6
£0.6
£0.6
VCE=6V IC=100mA
VCES(V)
£0.65
£0.65
£0.65
£0.65
VCE=VBE VCB=0 IC=125mA
hFE
80~400
40~180
40~180
40~180
VCE=1V IC=100mA
交 流
参 数
fb(kHz)
³8
fa³465
VCB=-6V IE=10mA
hFE色标分档
管 脚
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号
3DG6
测 试 条 件
新 型 号
3DG100A
3DG100B
3DG100C
3DG100D
极限参数
CM(mW)
CM(mA)
CBO(V)
C=100µA
CEO(V)
C=100µA
EBO(V)
E=100mA
直流参数
CBO(mA)
CB=10V
CEO(mA)
CE=10V
EBO(mA)
EB=1.5V
BES(V)
C=10mA IB=1mA
CES(V)
C=10mA IB=1mA
FE
CE=10V IC=3mA
交流参数
T(MHz)
CB=10V IE=3mA f=100MHz RL=5W
P(dB)
CB=-6V IE=3mA f=100MHz
ob(pF)
CB=10V IE=0
hFE色标分档
管 脚
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号
3DG12
测 试 条 件
新 型 号
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
极限参数
PCM(mW)
700
700
700
700
ICM(mA)
300
300
300
300
BVCBO(V)
³ 40
³ 60
³ 40
³ 60
IC=100µA
BVCEO(V)
³ 30
³ 45
³ 30
³ 45
IC=100µA
BVEBO(V)
³ 4
³ 4
³ 4
³ 4
IE=100mA
直流参数
ICBO(mA)
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
VCB=10V
ICEO(mA)
£ 1
£ 1
£ 1
£ 1
VCE=10V
IEBO(mA)
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
VEB=1.5V
VBES(V)
£ 1
£ 1
£ 1
£ 1
IC=100mA IB=10mA
VCES(V)
£ 0.6
£ 0.6
£ 0.6
£ 0.6
IC=100mA IB=10mA
hFE
³30
³ 30
³ 30
³ 30
VCE=10V IC=50mA
交流参数
fT(MHz)
³ 150
³ 150
³ 300
³ 300
VCB=10V IE=50mA f=100MHz RL=5W
KP(dB)
³ 6
³ 6
³ 6
³ 6
VCB=–10V IE=50mA f=100MHz
Cob(pF)
£ 10
£ 10
£ 10
£ 10
VCB=10V IE=0
hFE色标分档
管 脚
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
型 号
(3DG)
9011
(3CX)
9012
(3DX)
9013
(3DG)
9014
(3CG)
9015
(3DG)
9016
(3DG)
9018
极限参数
PCM(mW)
200
300
300
300
300
200
200
ICM(mA)
20
300
300
100
100
25
20
BVCBO(V)
20
20
20
25
25
25
30
BVCEO(V)
18
18
18
20
20
20
20
BVEBO(V)
5
5
5
4
4
4
4
直流参数
ICBO(mA)
0.01
0.5
0,5
0.05
0.05
0.05
0.05
ICEO(mA)
0.1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
IEBO(mA)
0.01
0.5
0,5
0.05
0.05
0.05
0.05
VCES(V)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.35
VBES(V)
1
1
1
1
1
1
hFE
30
30
30
30
30
30
30
交流参数
fT(MHz)
100
80
80
500
600
Cob(pF)
3.5
2.5
4
1.6
4
KP(dB)
10
hFE色标分档
管 脚
表22 常用场效应三极管主要参数
参数名称
N沟道结型
MOS型N沟道耗尽型
3DJ2
3DJ4
3DJ6
3DJ7
3D01
3D02
3D04
D~H
D~H
D~H
D~H
D~H
D~H
D~H
饱和漏源电流IDSS(mA)
0.3~10
0.3~10
0.3~10
0.35~1.8
0.35~10
0.35~25
0.35~10.5
夹断电压VGS(V)
ï1~9ï
ï1~9ï
ï1~9ï
ï1~9ï
£ï1~9ï
£ï1~9ï
£ï1~9ï
正向跨导gm(mV)
>2000
>2000
>1000
>3000
³1000
³4000
³2000
最大漏源电压BVDS(V)
>20
>20
>20
>20
>20
>12~20
>20
最大耗散功率PDNI(mW)
100
100
100
100
100
25~100
100
栅源绝缘电阻rGS(W)
³108
³108
³108
³108
³108
³108~109
³100
管脚

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关键词: 半导体 二极管

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