DS3660 安全存储器和可编程篡改检测加密处理器

作者：时间：2012-03-31来源：网络收藏

在DS3660是一个1024字节的SRAM为敏感数据的安全存储和安全管理器的物理篡改检测的加密处理器和数据安全设备所需的响应函数。低电压操作允许主机微处理器接口和可选的外部存储器运行在低电压(1.8V典型值)。

　　对DS3660的主要功能之一是片上无印迹内存，8个128字节的装有高速，直接连线构成的银行结算功能。 1KB的内存的不断补充的背景资料，以防止内存印迹。在DS3660的架构允许用户以清除内存选择性篡改事件后，指定的银行。在一个合格的篡改事件的事件，所期望的银行存储器(S)的迅速清除和负偏压可以应用到外部存储器的擦除。

　　DS3660包含一个秒的计数器，看门狗定时器，CPU监控，非易失(NV)SRAM控制器，以及片上温度传感器。在主电源发生故障时，外部电池电源自动切换到保持记忆，时间，和篡改检测电路工作。或者，一个内部1.8V的偏置源可以选择保持低电压的SRAM活着。 DS3660可配置的运作，低电压的嵌入式移动主机的电池供电设备的微处理器接口。该DS3660提供了接口，外部传感器，联锁和防篡改网低漏电篡改检测输入。该DS3660还援引篡改事件的绝对温度，如果温度率的变化(02)超过编程限制，或者如果外部晶体振荡器的频率指定的窗口内。篡改事件锁存和故障恢复的目的时间戳。

　　访问定时器，篡改监测，无印迹内存和设备配置通过I ² C兼容接口进行。组装中的DS3660采用无铅，7毫米x 7毫米x 0.8毫米CSBGA封装。

　　关键特性

　　内存

　　1024字节的无印迹存储器，高速擦除

　　64字节通用RAM(不清除)

　　外部SRAM控制和可选篡改事件擦除

　　分段篡改检测，具有可编程篡改事件源存储器层次结构

　　篡改

　　片上可编程温度传感专利号探测器

　　两个通用篡改检测逻辑输入

　　四未提交的篡改检测比较器输入

　　四个窗口比较器，带有片内基准电压