中国CXMT和YMTC推动DRAM和NAND生产

中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。

自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角，从传统 DRAM 开始，在国内市场需求和政府补贴的推动下，中国内存正在提高其竞争力。此外，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距。

根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia 最新报告，CXMT 的 DRAM 产能（基于晶圆输入）从去年同期的 420,000 片晶圆增长到第三季度的 720,000 片，增长了约 70%。按年计算，CXMT 的 DRAM 晶圆产量预计将从去年的 162 万片增长到今年的 273 万片。

就在 2 到 3 年前，CXMT 在全球 DRAM 市场的份额微不足道，无法用数字来衡量，但它正在短时间内迅速增加生产线和出货量。根据 Omdia 对明年的出货量预测，CXMT 的 DRAM 出货量预计将接近业内第三大公司美光。这就是为什么有人预测目前 DRAM 领域的三家公司主导地位（三星电子、SK 海力士、美光）将转变为四家公司的结构。

由于 YMTC 产量的快速增长，NAND 闪存在市场上也出现了供过于求的情况。虽然三星电子、SK 海力士、铠侠和美光等大公司因 NAND 闪存价格下跌而继续减产，但长江存储自去年第一季度以来已大幅提高其武汉二期工厂的产量。今年第二季度，长江医疗武汉二期生产线的 NAND 产量达到 130,000 片，比去年同期的 60,000 片增加了一倍多。与去年同期相比，长江科技的 NAND 总产量也增长了 42%。

两家公司不仅在通用和传统存储器方面扩展了他们的产品组合，而且还在扩展了先进的产品。CXMT 在由 SK 海力士引领的高带宽内存 （HBM） 市场的发展速度快于预期。CXMT 计划在今年年底前完成其第四代 HBM 产品 HBM3 的量产认证流程。

一位半导体设备行业负责人指出，“CXMT 正在积极扩建其在北京和合肥的工厂，预计未来将投资 HBM 封装设施”，并解释说“CXMT 已经设定了一个内部目标，即在两年内开始量产最先进的第五代 HBM （HBM3E），目前由 SK 海力士和美光主导。

长江存储还专注于通过增加 3D NAND 闪存的层数来推进其技术。层数越多，性能越好。就像建造高层公寓一样，随着层数的增加，可以存储和处理更多的数据。目前，量产 NAND 的最高层数是 SK 海力士的 321 层，其次是三星电子的 286 层和 YMTC 的 270 层。虽然仍低于三星电子和 SK 海力士，但正在赶上可比水平。市场研究公司 TechInsights 评估称，长江存储取得了重大进展，达到了 NAND 的性能指标每平方毫米 （㎟） 20.47 Gb。

与此同时，NAND市场全年一直处于供过于求的状态。据估计，三星电子在今年第二季度报告了 NAND 业务的亏损，尽管长期进入减产状态，而其他存储器公司也因价格持续下跌而盈利能力恶化。此前，市场研究公司TrendForce集邦咨询已将NAND闪存需求的年度增长预测从30%下调至10-15%。