AI和数据中心需求激增，美光确认内存价格上涨

美光已确认其提高内存价格的计划，理由是未来几年对 DRAM 和 NAND 闪存的需求强劲。该公司的最新公告表明，随着供应限制以及人工智能、数据中心和消费电子产品的需求增长推高了成本，价格将在 2025 年和 2026 年继续上涨。

价格上涨之际，内存市场正从供应过剩和收入下降的时期反弹。在过去的一年里，由于主要供应商的减产以及对高性能计算和 AI 工作负载的需求增加，DRAM 和 NAND 闪存的价格稳步回升。随着美光确认有意提高价格，三星和 SK 海力士等其他内存制造商预计将效仿，进一步巩固价格上涨趋势。

在给其渠道合作伙伴的一份声明中，美光指出“各个业务部门未预测的需求”是价格上涨背后的关键因素。该公司强调，对 AI 相关应用的需求不断增长，以及保持有竞争力的产品组合的必要性，这些都是这些调整的驱动力。美光还鼓励合作伙伴提供长期预测，以帮助确保未来几年的供应稳定。

价格上涨背后的关键驱动因素之一是对高带宽内存 （HBM） 的需求不断增长，这对于 AI 加速器和下一代 GPU 至关重要。随着 Nvidia、AMD 和 Intel 等公司推动更先进的 AI 解决方案，对更快、更高效的内存解决方案的需求激增。Micron 及其竞争对手正在提高 HBM 的产量以满足这一需求，但供应仍然紧张，导致成本上升。

该公司最近宣布投资 70 亿美元在新加坡新建 HBM 组装厂，旨在满足 AI 进步带来的增长需求。该工厂计划于 2026 年投产，将增强美光生产 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的能力，使公司能够在不断增长的 HBM 市场中占据更大的份额。

此外，随着 PC 和智能手机制造商增加 DRAM 和 NAND 闪存的订单，预计更广泛的消费电子市场将复苏。随着设备制造商为 2025 年底和 2026 年推出新产品做准备，预计内存需求将保持强劲，这进一步证明了美光调整价格的合理性。

随着美光为新的定价趋势奠定基础，现在所有的目光都集中在竞争对手和客户将如何应对。如果需求保持强劲，该行业的价格可能会持续上涨，从而在未来几年影响从游戏 PC 到企业数据中心的方方面面。