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深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展

作者: 时间:2025-02-20 来源:SEMI 收藏

据深圳平湖实验室官微消息,为降低材料损耗,深圳平湖实验室新技术研究部开发工艺来替代传统的多线切割工艺,其工艺过程示意图如下所示:

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202502/467105.htm

工艺与多线切割工对照:

有益效果:使用工艺,得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm,出片率提升40%,单片成本降低约22%。

激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果,该工艺的推广,对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC衬底产业带来了轻资产、高效益的新模式,也为其他硬质材料的加工提供了新的思路和方法,推动材料科学、激光技术等相关领域的进步与发展。



关键词: 激光剥离 碳化硅

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