厂商“疯狂”发力碳化硅

3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。

据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。

该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。

据悉，“John Palmour 碳化硅制造中心”的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持。目前，Wolfspeed在北卡罗来纳州达勒姆总部制造了全球超过60%的碳化硅材料，值得一提的是，为扩充产能，Wolfspeed正在开展投资65亿美元的产能扩充计划。

近年来，在新能源汽车、5G、太阳能、光伏等应用领域的强势带动下，碳化硅市场需求呈现出井喷式增长的态势。据TrendForce集邦咨询此前的数据统计，2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%，预计2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。

在广阔的市场前景推动下，全球各大碳化硅相关厂商都在加速布局。近期，国内外又传来了一批关于碳化硅产业项目的投资、进展。

国际方面，三菱电机预计今年4月将在日本开建新的8英寸SiC工厂，并计划2026年投入运营；欧洲石墨材料和碳化硅衬底供应商美尔森通过获得法国政府投资，扩充SiC衬底产能...

国内方面，天岳先进宣布拟斥资5亿元投资“碳化硅半导体材料项目”；天科合达SiC项目二期主体完工；芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡；总投资10亿的斯科车规级SiC芯片模组项目试生产；浙江丽水大尺寸SiC单晶衬底产业化项目签约；南通半导体设备用SiC部件项目二期开工；东尼电子拟扩建年产20万片6英寸碳化硅衬底材料项目...

除了各自发力外，今年以来，厂商之间的合作亦频频传出。

如英飞凌已与SK Siltron签订碳化硅晶圆长约、芯动半导体与意法半导体在深圳签署碳化硅（SiC）战略合作协议；芯联集成与理想汽车签订战略合作协议。