ST在SiC和GaN的发展简况

ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。

Gianfranco DI MARCO(意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG)功率晶体管事业部市场沟通经理)

1 面临的技术挑战

在制造方面，充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战，其中包括提高晶圆良率，降低缺陷率和成本，以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性，同时增加有关SiC 和GaN 的性能细微差别的经验。OEM（原厂）需要鲁棒性很高的栅极驱动器和适合高速开关的控制器。为应对这些挑战，我们与客户和合作伙伴密切合作，完善改进技术，直面实际设计过程中的系统级挑战。

2 ST的解决方案

ST 深耕SiC 研发已经有25 年的历史，拥有尖端技术和大批量制造能力。严格的质量控制成就高度可靠的设备，ST 的市场领先地位是最有力的证明。ST 与汽车和工业市场的知名企业合作，为其提供参考设计和应用支持，以简化SiC 和GaN 解决方案的应用。ST 还与GaN 代工合作伙伴密切合作，加快GaN 器件上市销售，并确保供货，同时在公司内部推进下一代技术研发。通过这种双管齐下的方法，ST 为市场提供高性能功率芯片，加快功率器件向更宽禁带半导体的转化。

（本文来源于EEPW 2023年10月期）