电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点。此外，锂离子电池技术成熟，因
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202310 碳化硅 SiC 电池储能系统
1 前言在本专栏的前面文章《从隐空间看AIGC 的未来发展》里，曾经提到了，今天全球AIGC 产业即将进入产业的革命性的转折点，也逐渐浮现AI 模型容器( 集装箱) 的身影。而AI 集装箱将带给码头( 隐空间) 一项美好的次序。一旦我们致力于制定AI 容器的规格，就会拥有主导未来AIGC 产业发展的话语权。于是，在本篇文章里，将继续以实例详细说明AI容器的设计和实践技术。2 以Stable Diffusion为例首先观察SD (Stable Diffusion) 的基本架构，如图1。
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202310 容器 AI模型 PnP
前言谈到计算机与GPU 的关系，就不得不提到IBM 公司在1981 年发布的世界上第一台个人电脑IBM5150，该电脑配备了黑白显示适配器和彩色图形适配器，这是最早的图形显示控制器。在20 世纪80 年代初期，以GE 芯片为代表的图形处理器开始出现，它具备四位向量的浮点运算功能，可以完成图形渲染过程中的矩阵、裁剪、投影等运算，标志着计算机图形学进入以图形处理器为主导的阶段。随着GE 等图形处理器功能的不断完善，图形处理功能也逐渐从CPU 向GPU（前身）转移。随着时间进入上世纪90 年代，如今GPU 的王
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202310 GPU市场
DPU（数据处理器，Data Processing Unit），是继CPU和GPU之后的，数据中心第三颗主力芯片。DPU首次由美国公司Fungible 提出，DPU行业（数据处理单元）是指用于数据处理的各种芯片和处理器。其主要目标是优化和提升数据中心效能。DPU是由基础网卡进化而来，是智能网卡发展的下一形态，DPU上游涉及如EDA设计软件、IP 核、封装测试、代工等环节，下游则主要对应数据中心/ 云计算、智能驾驶、数据通信、网络安全等领域需求。由于算力提升与数据增幅呈现剪刀差，DPU可有效减少算力损耗。在
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202310 DPU市场 DPU
在半导体设计链中，IP 授权是其中重要一环，能够大幅帮助芯片企业提升设计能力并缩短设计时间。芯片设计公司的不断增加扩大了芯片IP 授权市场的规模和多样性，为IP 供应商带来了更多的增长机会，随着越来越多的IC 设计公司涉足不同领域，如人工智能、物联网、汽车电子等，对各种类型的芯片IP 的需求也在不断增加。半导体是唯一一个将IP 授权发展成一个细分行业的工业领域，根据IPnest 在2023 年4 月最新发布的“设计IP 报告”，2022 年全球设计IP 市场收入达到了66.7 亿美元，高于2021 年的5
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202310 芯耀辉 IP授权
引言如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产；2023 年3月，又确
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202310 罗姆 GaN
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化镓 GaN Transphorm
1 SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：● 电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。● 数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。● 可再生能
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202310 SiC GaN 安世半导体
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半导体 SiC GaN
1 SiC的应用优势Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代宽禁带（WBG）半导体材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品质因数（FoM）和低反向恢复电荷（Qrr），特别适用于具有挑战性的应用，尤其是高压大电流等应用场景，主驱逆变器采用SiC，可提升系统的效率，进而使得在相同的电池容量下里程数得以提升。OBC（车载充电机）采用SiC，可实现更高的能效和功率密度。随着汽车市场向800 V 高压系统发展，SiC 在高压下的低阻抗、高速等优势将更能体现。Mrinal K.Das博士(安森美电源方案事业群先进电源
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202310 SiC 安森美
碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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202310 碳化硅 SiC 衬底 8英寸 扩产
说起自动驾驶想必各位读者都不陌生，大家是不是习惯性理解为“大脑+电机”就能组成一台自动驾驶汽车呢？就在前两天，恩智浦2023首席技术官媒体交流会上，恩智浦半导体执行副总裁兼首席技术官Lars Reger先生针对这一概念，向我们抛出一个问题：“如果你认为自动驾驶就是让一台普通汽车拥有大脑，那么你愿意让ChatGPT帮你开车吗？”很显然，我们在座各位都不会同意这一方案，毕竟谁能放心完全把自己的性命交给人工智能手里呢？于是，Lars Reger向我们介绍了恩智浦对于自动驾驶领域的独特见解，以及他们正在帮助世界实
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202310 恩智浦 自动驾驶 智能汽车 车身控制
人才、资金和政策，是中国半导体从幼苗到参天大树必不可少的三大必要条件。相比于动辄需要20年才能健全的人才培养体系和重视程度越来越高的政策面支持，资金是目前中国半导体产业变化最大且影响最明显的外部因素。
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