罗姆GaN器件带来颠覆性革命：体积减少99%,损耗降低55%

—— EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”实现轻松安装

作者：周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)时间：2023-10-19来源：电子产品世界收藏

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202310/451784.htm

引言

如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。

周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)

1 GaN HEMT的突破

在功率器件中，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产；2023 年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN 性能的控制IC 技术。2023 年5 月，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM 又推出器件性能达到业界超高水平的650 V 耐压GaN HEMT。ROHM 将这种有助于节能和小型化的GaN 器件命名为“EcoGaN™ 系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。

2 集功率与模拟于一体的新产品

然而，与Si MOSFET 相比，GaN HEMT 的栅极处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。

在这种市场背景下，ROHM 结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT 和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN 器件轻轻松松即可实现安装。

新产品中集成了新一代功率器件650 V GaN HEMT，能够更大程度地激发出GaN HEMT 性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5~30 V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC 的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET ／以下简称“Si MOSFET”）。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。

新产品非常适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC 电路）的各种应用，如消费电子（白色家电、AC 适配器、电脑、电视、冰箱、空调）以及工业设备（服务器、OA 设备）等。