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台积电3纳米差点背锅!iPhone15发热祸首是一零件

作者: 时间:2023-10-04 来源:工商时报 收藏

iPhone 15 Pro系列新机出现容易过热的毛病,外界一度以为是的问题,但苹果官方上周末发声明表示,主要是iOS 17系统的漏洞与第三方应用程序(APP)交互作用下所导致。此外,有业内人士爆料,罪魁祸首恐怕是规格升级的DRAM(动态随机存取内存)造成运行庞大负担。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202310/451138.htm

知名科技爆料者Revegnus在社群软件X(原名Twitter)上引述一位熟悉苹果半导体业务的达人说法,「几乎已经确定iPhone 15系列的DRAM是发烫的罪魁祸首,规格升级的DRAM为了配合数据处理速度,消耗了更多电力,这个过程中就会产生热。」

Revegnus也提到,该名业内人士认为,此问题可能会在一至两个月内解决,并已经排除其他会引起过热的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新机后发现,搭载的DRAM是美光最先进的D1β LPDDR5 DRAM芯片。

此前,韩媒将iPhone 15过热原因指向制程,并提到此迹象可能是FinFET制程技术已经到达极限,而提早在转进GAA制程的三星将有突破点,且如果市场对3纳米存疑,客户可能会转向或同时采用三星的产品,引起热烈讨论。



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