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SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

作者:时间:2020-07-02来源:美通社收藏

宣布开始量产’。这是公司去年8月宣布完成开发仅十个月之后的成果。      图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E  
  图1. 宣布开始量产,    

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202007/415088.htm

的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs,  输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快的解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through  Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。

HBM2E拥有、高容量、低能耗等特性,是适合深度学习加速器(deep learning  accelerator)、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能(AI)系统的存储器解决方案。与此同时,HBM2E将适用于在未来主导气候变化、生物医学、宇宙探索等下一代基础、应用科学领域研究的Exascale  超级计算机(能够在一秒内执行一百亿亿次计算的计算机)。

图2. SK海力士成员庆祝HBM2E量产  
  图2. SK海力士成员庆祝HBM2E量产    

吴钟勋SK海力士副社长兼首席营销官(Chief Marketing Officer,  CMO)表示:“SK海力士通过开发世界第一款HBM(High Bandwidth  Memory)等成果一直引领着有助于人类文明发展的新一代技术革新。公司将通过本次HBM2E量产强化高端存储器市场上的地位,并倡导第四次工业革命。”  

注解

  • HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)
    -相较传统DRAM,借助TSV技术飞跃性地提升数据处理速度的高性能、高带宽存储器产品

  • TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)
    - 在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术
    - 该技术在缓冲芯片(buffer chip)上将数个DRAM芯片堆叠起来,并通过贯通所有芯片层的柱状通道传输信号、指令、电流。
    - 相较传统封装方式,该技术能够缩减30%体积,并降低50%能耗。

  • 数据处理速度换算规则
    - 1GB = 8Gb
    - 以每个pin 3.6Gbps的速度通过1,024个数据I/Os进行运算 = 3686.4Gbps
    - 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB换算)




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