美光晋华“纠葛”：从互诉到互禁 未来走势难料

　　10月30日，美国商务部以国家安全为由，对福建晋华集成电路有限公司(以下简称晋华)实施出口管制，继中兴之后，晋华成为“中美贸易战”背景下，第二个被美国列入出口管制“实体清单”的中国企业。

　　从两年前同台湾联华电子股份有限公司(以下简称联电)合作开发DRAM相关制程技术，到目前即将进入量产阶段的关键时刻，就外部环境而言，晋华的日子并不好过。

　　集微网梳理了自晋华成立以来内外部的重要事件并进行简要解析。前有围绕在美光、联电、晋华三者之间因知识产权产生的经济纠葛，后有中美贸易摩擦背景下的政治影响，尽管晋华和国内产业界一直希望能同美光回到谈盘桌前，但在目前的局面下，此次晋华被禁的未来走势将变得难以预料。

　　2016年4月，台湾“经济部”投审会通过联电和晋华合作共同开发32纳米DRAM制程。2016年5月，晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术。由晋华支付技术报酬金，开发出的DRAM技术成果，将由双方共同拥有。

　　2016年7月，晋华首座12英寸晶圆厂开工建设。2017年11月生产线项目封顶，并于今年第三季度投入使用，计划年底进行小规模投片试产，2019年实现规模量产。

　　致力于利基型内存的福建晋华和专注于NAND Flash市场的长江存储，以及专注于移动式内存的合肥长鑫，构成中国存储产业的三大阵营。今年三大阵营相继进入试产、量产阶段，因此2018被视为中国存储产业发展的元年。

　　在DRAM领域，长期被三星、海力士、美光等把持，三家市场份额占据90%以上。此前业界有过中国存储发展或遭三大巨头在专利、知识产权方面打压的担心，如今，这样的担忧成为现实。

　　晋华与美光的纠纷始于联电，2017年2月，联电资深副总经理陈正坤出任晋华总经理，加入联电之前，陈正坤曾任美光台湾地区总经理。

　　2017年9月，美光在台湾控告联电，指控从美光跳槽到联电的员工窃取DRAM商业秘密，涉嫌将美光DRAM 技术泄漏给联电，帮助联电开发 32nm DRAM 。

　　2017年12月，美光在美国加州联邦法庭起诉晋华与联电，称联电通过美光台湾地区员工窃取其知识产权，包括存储芯片的关键技术，并交由晋华。

　　联电否认窃取美光DRAM 技术一事，并一直强调自己在DRAM方面的技术实力。同时作为回应，也是作为寻求谈判的筹码，晋华和联电在2018年1月，分别在福建省福州中院起诉美光科技侵犯其知识产权，并要求禁止部分在华销售的产品。

　　在美国，90%的知识产权诉讼都以和解结束。联电和晋华一直想将美光拉回至谈判桌前，但美光表现得颇为强硬，不仅没有表现出谈判的意愿，还通过限制供应商供货等行为进一步打击晋华。

　　2018年5月，就一直以来的DRAM行情上涨以及涉嫌操控价格等因素，商务部约谈美光。2018年6月，国家市场监督总局正式立案调查美光、三星、海力士三家存储企业。

　　2018年7月，福州中院颁布诉中禁令，裁定美光26种芯片产品因侵犯联电和晋华的专利而在中国大陆遭到临时禁售。

　　美光随后发布声明，称相关禁售产品仅占1%营收，影响有限，表示将有力证据递交至中国国家知识产权局专利复审委员会，试图证明联电声和晋华的专利无效。

　　同时，美光向福建中院提出复议申请，9月28日第一次复议开庭，据集微网了解，目前仍在复议之中。

　　2018年10月30日，美国商务部声明称，将把福建晋华集成电路有限公司列入出口管制“实体清单”，限制对其出口，原因是该公司新增的存储芯片生产能力将威胁到为军方提供此类芯片的美国供应商的生存能力。

　　10月30日，联电表示与晋华的合作计划不受影响，将持续依合约开发技术。但在1天之后，10月31日，联电宣布目前已接获台湾区电机电子工业同业公会转发的国贸局函令，暂停与晋华合作，直到禁令解除后，才会恢复为晋华开发技术。

　　中国大陆是美光的最大市场，贡献了超过半数的销售额，中国市场的重要作用不可忽视。而从目前三星、海力士、美光的规模看，中国存储产业的未来崛起，可能最先收到冲击的就是美光。

　　这是美光产生危机感的主要原因，美光与晋华关于知识产权的纠纷，以及美国发布的禁令，适逢中美贸易争端的时间节点，这也让未来的走势变得难以捉摸。

　　中兴遭禁之后，业务一度陷入全面瘫痪。在中国政府的努力下，与美国达成和解，最终在7月份解除禁令。中兴付出的是向美国政府缴纳了10亿美元罚金和4亿美元的托管金。

　　从目前看，晋华联电与美光的官司可能成为最先要解决的问题，此前，美光一直不愿同晋华和联电回到谈判桌前，或许美光认为手中掌握的筹码不够。而此次美国商务部发出的禁令，美光获得更多的谈判筹码，也意味着晋华和联电将付出更高的成本。