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台媒:大陆DRAM突破技术障碍还得靠台湾

作者:时间:2017-08-20来源:集微网 收藏

  据台湾经济日报报道,大陆积极发展内存产业,但由于仍难突破三大厂的技术防线,在政策与时间压力下,反而凸显台厂扮演关键少数的重要性,业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201708/363227.htm

  大陆的内存产业,目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力,但在美光发动司法调查,紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后,日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。

  另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队,仍如火如荼进行,并宣示明年要切入19nm生产;福建晋华则和联电合作,委托联电开发相关制程技术,生产利基型DRAM,团队由瑞晶、美光台湾前总经理,现任联电资深副总经理陈正坤领军,同时出任福建晋华总经理。

  据了解,联电为福建晋华在南科建立小型试产线,一度也遭美光司法调查暂停,但不久后又恢复运作,初期将导入32nm,最终目标要切入25nm以下制程。

  不过,业界透露,在美光强力透过美台和大陆三地司法调查,大陆DRAM厂商遭遇相当大的瓶颈,难有突破,未来即使突破,也恐怕会遭遇美光、三星等大厂排山倒海的侵权诉讼。

  内存业界分析,大陆在DRAM遭遇技术重重阻力,反让台厂包括南亚科及华邦电等,成为大陆厂商争相包产能的主要对象,原因包括联想、华为、OPPO、VIVO,甚至海尔、TCL等计算机、手机和家电大厂,产品都营销全球,多会尊重知识产权,不会贸然导入有侵权疑虑的大陆产内存。

  业界估计,在三星、及美光都不愿转换技术下,至少五年内,大陆DRAM厂都难以突破技术防线,而大陆倾全国力量发展内存,发展DRAM又势在必行,在时间和技术取得的双重压力下,台厂反而成为可以取得技术授权的管道,未来战略地位值得重视。

  目前台湾DRAM厂商南亚科目前在林口有二座12吋厂,其中3A厂30nm制程产品,有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计;全新的3An厂,今年导入20nm制程后,5月取得客户验证,提前在今年第2季量产,目前良率相当好,预定今年底单月投片量达3万片。



关键词: DRAM SK海力士

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