1970-2017 DRAM芯片市场的生死搏杀

　　这张照片展示了一堆古董内存。从上到下是：采用三星颗粒的两根32M 72针DRAM内存，韩国生产。中间是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM内存。最下面是采用英飞凌颗粒的64M PC133 SDRAM内存，葡萄牙生产。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集团的内存品牌。赫克松成立于1989年，是德国英飞凌和日本尔必达的亚太区总代理，因此采购两家的DRAM颗粒，到新加坡组装成内存条，然后销售到中国大陆，靠价格低廉取胜。不过时至今日，德国英飞凌(奇梦达)和日本尔必达，都已经破产倒闭。只剩下了韩国三星独霸江湖。

　　DRAM是动态随机存储器的意思，也就是电脑内存。对于今天的消费者来说，电脑内存只是些绿色的小条条，售价不过几百元。然而这些小玩意，却走过了长达120年的复杂演进历史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们已经很难想象，一个电冰箱大小的计算机存储器，只能存储几K数据，售价却高达几万美元。在中国市场，1994年的时候，一根4M内存售价1400元，相当于两个月工资。1999年台湾921大地震，在北京中关村，一根64M SDRAM内存条，价格可以在几天内，从500元暴涨到1600元。

　　自1970年，美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来，已经过去47年。DRAM内存芯片市场，累计创造了超过1万亿美元产值($1000,000,000,000美元)。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手，怀揣巨额筹码，高高兴兴地走进来，却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM，也分别在1986年、1998年和1999年，凄惨地退出了DRAM市场。目前，只有韩国三星和海力士，占据绝对垄断地位，在DRAM市场呼风唤雨，赚得盆满钵满。

　　从美国到韩国，这个巨大的转变，背后隐藏着半个世纪以来，那些不为人知的经济战争，足以载入经济学教科书。把欧美和中国，那些冒牌经济学家，极力鼓吹的“自由市场经济”论调，彻底扫进垃圾堆。

　　——这是一场真正的经济战争，国与国之间的生死较量，惨烈程度远超液晶战争。

　　1949年，美国哈佛大学实验室的王安博士，发明磁芯存储器。这种古老的存储器一直使用到1970年代。直至被英特尔批量生产的DRAM内存淘汰。

　　在叙述这场经济战争前，我们先从总体上，了解一下DRAM内存产业的脉络和现状。

　　电脑存储器的发明者，几乎都来自计算机巨头——美国IBM公司。IBM的历史最早可追溯到1890年代。美国统计学家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表机，采用在卡纸上打孔的方式，记录统计数据。1890年，美国进行第12次人口普查时，便大量采用这种机器。直到1930年代，IBM每年仍要销售上千万张穿孔纸卡。

　　1932年，IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek)，发明了第一种被广泛使用的计算机存储器，称为“磁鼓存储器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型计算机的主要存储方式。1956年，IBM公司购买了中国人王安博士(上海人)，拥有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人员，罗伯特·登纳德博士，发明了半导体晶体管DRAM内存，并在1968年获得专利。

　　然后，1970年美国英特尔，依靠批量生产DRAM大获成功，逼死了磁芯存储器。1976年日本厂商进攻DRAM市场后，差点将英特尔逼死。1985年美国发动经济战争，扶植韩国厂商进攻DRAM产业，又将日本厂商逼死。1997年美国发动亚洲金融风暴，差点将韩国厂商逼死。美国控制韩国经济后，韩国厂商又借着DRAM市场的暴利翻身崛起。此时不怕死的台湾人冲进DRAM市场，投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球经济危机，逼死了德国厂商，并将台湾DRAM厂商打翻在地，狠踩两脚。2017年，不怕死的中国大陆厂商冲了进来，准备投资660亿美元，进攻DRAM市场。

　　有人说，中国人疯了。

　　我说没疯，因为中国——做为世界第一大电子产品制造国，居然90%以上的内存靠进口，剩下那部分，居然连国产的产量，都控制在韩国企业手里。

　　2015年，韩国三星电子投资136亿美元(15.6万亿韩元)，在韩国京畿道平泽市，建设12寸晶圆DRAM厂(Fab18)。该项目占地2.89平方公里，总产能预计将达到每月45万片晶圆，其中3D NAND闪存芯片将占据一半以上。主要生产第四代64层堆叠3D NAND闪存芯片。2017年7月4日三星宣布该厂投产。